Tranzystory bipolarne (3 671 artykułów)

DTC114EU3 jest cyfrowym tranzystorem przeznaczonym do zastosowań w inwerterze, interfejsie i sterownikach.Standardowy tranzystor cyfrowy Wbudowane rezystory polaryzujące Mała obudowa do montażu pow...

Typ opakowania = CPH6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Maksymalna strata mocy = 1,6 W Liczba styków = 6 Liczba elementów na układ = 1 Maksymalna temperatura robocza = +150°C

CPH6350 to P-Channel Power MOSFET, -30V, -6A, 43mΩ, Single CPH6 do zastosowań w urządzeniach komutowanych ogólnego zastosowania.Funkcje Napęd bramki 4,0 V. Niska rezystancja włączenia Dioda zabezpi...

Typ opakowania = D2PAK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Maksymalna strata mocy = 313 W Liczba styków = 2 + Tab Liczba elementów na układ = 1 Wymiary = 10.67 x 9.65 x 4.58mm

UniFETTM MOSFET to rodzina tranzystorów MOSFET o wysokim napięciu bazująca na płaskich listwach i technologii DMOS. MOSFET został specjalnie zaprojektowany, aby zmniejszyć odporność na zmiany stanu...

Typ opakowania = D2PAK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Maksymalna strata mocy = 158 W Liczba styków = 2 + Tab Liczba elementów na układ = 1 Wymiary = 10.67 x 9.65 x 4.58mm

Tranzystor MOSFET o mocy w trybie optymalizacji kanału N jest produkowany przy użyciu zastrzeżonego pasa i technologii DMOS. Advanced MOSFET został specjalnie zaprojektowany w celu zmniejszenia odp...

Moduły FGB3245G2_F085 i FGD3245G2 to N-kanałowe układy IGBT zaprojektowane w technologii EcoSPARK® 2 firmy Fairchild, która pomaga wyeliminować zewnętrzne układy zabezpieczające. Technologia ta zos...

Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 450 (podział) V Typ opakowania = DPAK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Maksymalna strata mocy = 150 W Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Liczba styków = ...

Typ opakowania = DPAK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Maksymalna strata mocy = 83 W Liczba styków = 2 + Tab Liczba elementów na układ = 1 Maksymalna temperatura robocza = +150°C

Tranzystor MOSFET o mocy w trybie optymalizacji kanału N jest produkowany przy użyciu zastrzeżonego pasa i technologii DMOS. Advanced MOSFET został specjalnie zaprojektowany w celu zmniejszenia odp...

Ten P-Channel MOSFET jest produkowany przy użyciu Advanced technologii PowerTrench®. Ten proces o bardzo dużej gęstości został specjalnie zaprojektowany w celu zminimalizowania odporności na zmiany...

Typ opakowania = MLP 3.3 x 3.3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Maksymalna strata mocy = 40 W Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1 Wymiary = 3.3 x 3.3 x 0.72mm

Ten pojedynczy MOSFET N-Channel został zaprojektowany z wykorzystaniem Advanced Power trench w celu optymalizacji systemu RDS(on) @VGS=2,5V na specjalnej ramie ołowiowej MicroFET.RDS(on) = 30mΩ prz...

Typ opakowania = MicroFET 2 x 2 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Maksymalna strata mocy = 2,4 W Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Liczba styków = 6 Liczba elementów na układ = 1 Maksymalna t...