 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
od PLN 2,897*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 10 A Uce 650 V 1 DO-263L 106 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 10 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 106 W Typ opakowania = DO-263L Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RGT20NL65GTL |
od PLN 5,186*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 10 A Uce 650 V 1 DO-263L 106 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 10 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = DO-263L Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RGT20NL65GTL |
od PLN 4,31*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 14,618*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 364,14*
za 30 szt. |
|
|
IGBT Ic 100 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 268 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór prz... |
|
od PLN 7,352*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 100 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 268 W (1 Oferta) Stosowanie nowego pola kończy technologię IGBT 4. Generacji. FGHL50T65SQ to pojedynczy IGBT. Ta funkcja IGBT zapewnia optymalną wydajność przy niskiej utracie przewodzenia i utracie przełączania, c... |
|
od PLN 18,086*
za 2 szt. |
|
|
|
|
od PLN 17,036*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 13,02*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 33,096*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 28,369*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 288 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWSX2TS65DGC13 |
od PLN 9 495,684*
za 600 szt. |
|
|
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWSX2TS65DGC13 |
od PLN 18,285*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWSX2TS65GC13 |
od PLN 12,092*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 288 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWSX2TS65GC13 |
od PLN 12,289*
za szt. |
|
|
