![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
IGBT Ic 88 A Uce 650 V 1 TO-247GE 245 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 88 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 245 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS00TS65DGC13 |
od PLN 7 566,06* za 600 szt. |
|
|
IGBT Ic 88 A Uce 650 V 1 TO-247GE 245 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 88 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 245 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS00TS65DGC13 |
od PLN 12,787* za szt. |
|
|
IGBT Ic 88 A Uce 650 V 1 TO-247GE 245 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 88 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS00TS65GC13 |
od PLN 6 568,992* za 600 szt. |
|
|
IGBT Ic 88 A Uce 650 V 1 TO-247GE 245 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 88 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 245 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS00TS65GC13 |
od PLN 11,137* za szt. |
|
|
IGBT Ic 95 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 276 W (1 Oferta) RGTV00TS65 to IGBT z niskim kolektorem - źródłem napięcia nasycenia, odpowiedni dla korekcji współczynnika mocy (PFC), konwertera nasłonecznienia, zasilaczy UPS, spawania, zastosowań firmy IH.Niski... |
ROHM Semiconductor RGTV00TS65GC11 |
od PLN 23,95* za 2 szt. |
|