Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory IGBT ---

  Tranzystory IGBT (110 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 348 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Otwór pr...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65HRC11
od PLN 27,322*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 348 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 348 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65HRC11
od PLN 32,326*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 348 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 348 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65EHRC11
od PLN 30,434*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 348 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 348 W Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = O...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65EHRC11
od PLN 36,363*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 348 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór prz...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65DHRC11
od PLN 11 374,7625*
za 450 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 348 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór prz...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65DHRC11
od PLN 18,042*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65GC13
od PLN 12,092*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 288 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65GC13
od PLN 12,289*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 288 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65DGC13
od PLN 9 495,684*
za 600 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65DGC13
od PLN 18,285*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 71 A Uce 650 V 1 TO-247GE 202 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 71 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 202 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS80TS65GC13
od PLN 7 165,872*
za 600 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 71 A Uce 650 V 1 TO-247GE 202 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 71 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS80TS65GC13
od PLN 14,69*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 71 A Uce 650 V 1 TO-247GE 202 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 71 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 202 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS80TS65DGC13
od PLN 6 913,59*
za 600 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 71 A Uce 650 V 1 TO-247GE 202 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 71 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 202 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS80TS65DGC13
od PLN 11,742*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 51 A Uce 650 V 1 TO-247GE 156 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 51 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 156 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS60TS65GC13
od PLN 8,791*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.