 | | | | | |
Fotografia | | | Znak jakości  | | Zamów |
|
|
IGBT Ic 10 A Uce 650 V 1 DO-263L 106 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 10 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 106 W Typ opakowania = DO-263L Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RGT20NL65GTL |
brak danych |
od PLN 5,166*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 10 A Uce 650 V 1 DO-263L 106 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 10 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = DO-263L Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RGT20NL65GTL |
brak danych |
od PLN 4,30*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 288 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWSX2TS65DGC13 |
brak danych |
od PLN 9 501,852*
za 600 szt. |
|
|
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWSX2TS65DGC13 |
brak danych |
od PLN 18,215*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWSX2TS65GC13 |
brak danych |
od PLN 12,052*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 288 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWSX2TS65GC13 |
brak danych |
od PLN 12,209*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65DGVC11 |
brak danych |
od PLN 18,03*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65DGVC11 |
brak danych |
od PLN 21,112*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65GVC11 |
brak danych |
od PLN 6 529,914*
za 450 szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65GVC11 |
brak danych |
od PLN 14,89*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 267 W Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2DGC11 |
brak danych |
od PLN 19,214*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) ROHM Field stop trench IGBT używane głównie w falowniku, UPS, falowniku PV i kondycjonerze mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzymania zwar... |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2DGC11 |
brak danych |
od PLN 19,489*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHRC11 |
brak danych |
od PLN 20,408*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) ROHM Field stop trench IGBT używany głównie w falowniku i do zastosowań motoryzacyjnych i przemysłowych. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzyma... |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHRC11 |
brak danych |
od PLN 21,323*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 267 W Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2GC11 |
brak danych |
od PLN 14,419*
za szt. |
|
|
