Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystory standardowe

  Tranzystory standardowe (475 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
ON Semiconductor BD243CG Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (3 ofert) 
Tranzystory mocy BD_ TO126, TO220 Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 0.003 GHz · Moc (maks) P(TOT): 65 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 100 V · Opakowanie: tuba · Prąd kolektora I(C...
onsemi
BD243CG
PLN 4,633*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor Darlingtona ST Microelectronics TIP 137, PNP, TO 220, I(C) 8 A, U(CEO (3 ofert) 
Tranzystor Darlingtona ST STMicroelectronics TIP137 | Uwaga: producent SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS. Dane techniczne: Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: STM · Moc (maks) P(TOT): 2 W · Napięcie k...
ST Microelectronics
TIP137
PLN 4,579*
za szt.
 
 szt.
INFINEON IGBT IGP_, IKA_, IKP_ TO220_ Infineon Technologies IGP06N60TXKSA1 N/A N (3 ofert) 
INFINEON IGBT IGP_, IKA_, IKP_ TO220_ Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 9 ns · Dalsze dane techniczne: (UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 4,6 V · (ICpuls) Impulsowy prąd kolektor...
Infineon
IGP06N60TXKSA1
PLN 4,554*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor przełączający ST STMicroelectronics BUL38D NPN Rodzaj obudowy TO-220 (3 ofert) 
Tranzystor przełączający ST STMicroelectronics BUL38D | Dane techniczne: Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: STM · Moc (maks) P(TOT): 80 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 450 V · Obudowa: TO-22...
ST Microelectronics
BUL38D
PLN 4,452*
za szt.
 
 szt.
STM IGBT z FRED STGF_, STGP_ TO220_ STMicroelectronics STGP7NC60HD N/A N/A (3 ofert) 
STM IGBT z FRED STGF_, STGP_ TO220_ Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 18.5 ns · Napięcie kolektora-emitera U(CES): 600 V · Opakowanie: tuba · Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2): 72 ns · Pr...
ST Microelectronics
STGP7NC60HD
PLN 4,398*
za szt.
 
 szt.
Infineon Technologies BDP948H6327XTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (1 Oferta) 
Tranzystory mocy INFINEON SMD BDP_ Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 0.2 GHz · Moc (maks) P(TOT): 0.33 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 32 V · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Pr...
Infineon
BDP948H6327XTSA1
PLN 4,33093*
za szt.
 
 szt.
Infineon Technologies BDP953H6327XTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (1 Oferta) 
Tranzystory mocy INFINEON SMD BDP_ Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 0.2 GHz · Moc (maks) P(TOT): 0.33 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 32 V · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Pr...
Infineon
BDP953H6327XTSA1
PLN 4,33093*
za szt.
 
 szt.
Infineon Technologies BDP947H6327XTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (1 Oferta) 
Tranzystory mocy INFINEON SMD BDP_ Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 0.2 GHz · Moc (maks) P(TOT): 0.33 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 32 V · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Pr...
Infineon
BDP947H6327XTSA1
PLN 4,32093*
za szt.
 
 szt.
STM SMD IGBT na taśmie STGD_ TO252 STMicroelectronics STGD3NB60SDT4 N/A N/A (2 ofert) 
STM SMD IGBT na taśmie STGD_ TO252 Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 125.000 ns · Napięcie kolektora-emitera U(CES): 600 V · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Opóźnienie wyłączenia t(d)(o...
ST Microelectronics
STGD3NB60SDT4
PLN 4,31*
za szt.
 
 szt.
Infineon Technologies BDP950H6327XTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (1 Oferta) 
Tranzystory mocy INFINEON SMD BDP_ Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 0.2 GHz · Moc (maks) P(TOT): 0.33 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 32 V · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Pr...
Infineon
BDP950H6327XTSA1
PLN 4,16241*
za szt.
 
 szt.
STM IGBT z FRED STGF_, STGP_ TO220_ STMicroelectronics STGP8NC60KD N/A N/A (3 ofert) 
STM IGBT z FRED STGF_, STGP_ TO220_ Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 17 ns · Napięcie kolektora-emitera U(CES): 600 V · Opakowanie: tuba · Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2): 72 ns · Prąd...
ST Microelectronics
STGP8NC60KD
PLN 4,157*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor 2N BD ON Semiconductor BD809 NPN Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A (1 Oferta) 
Tranzystor 2N BD Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 1.5 MHz · Ilość kanałów: 1 · Moc (maks) P(TOT): 90 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 80 V · Obudowa: TO-220AB · Producent: ON Semi...
onsemi
BD809
PLN 4,13*
za szt.
 
 szt.
ON Semiconductor 2N6491G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (3 ofert) 
Tranzystory mocy 2N D MJ TIP_ Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 0.005 GHz · Moc (maks) P(TOT): 75 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 80 V · Opakowanie: tuba · Prąd kolektora I(C): 15...
onsemi
2N6491G
PLN 4,07*
za szt.
 
 szt.
ON Semiconductor BD241CTU Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (1 Oferta) 
Tranzystor (BJT) - dykretne ON Semiconductor | BD241CTU Dane techniczne: Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: OnS · Moc (maks) P(TOT): 40 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 100 V · Obudowa: TO-22...
onsemi
BD241CTU
PLN 3,95*
za szt.
 
 szt.
ON Semiconductor 2N6488G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (3 ofert) 
Tranzystory mocy 2N D MJ TIP_ Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 0.005 GHz · Moc (maks) P(TOT): 75 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 80 V · Opakowanie: tuba · Prąd kolektora I(C): 15...
onsemi
2N6488G
PLN 3,87*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   32   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.