Tranzystory standardowe (475 artykułów)

INFINEON Moduły IGBT/diodowe BSM_, FF_, Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 300 ns · Dalsze dane techniczne: (UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 5,8 V · (ICpuls) Impulsowy prąd kole...

Moduł IGBT SEMITRANS® Semikron 22892103 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 350 ns · I (CM): 1200 A · Kod producenta: SKR · Konfiguracja: Pojedynczy · Napięcie kolektora-emitera U(CES): 12...

INFINEON Moduły IGBT/diodowe BSM_, FF_, Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 300 ns · Dalsze dane techniczne: (UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 5,8 V · (ICpuls) Impulsowy prąd kole...

Tranzystor IGBT Semikron Semikron 22890695 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 250 ns · I (CM): 200 A · Kod producenta: SKR · Konfiguracja: Pojedynczy · Napięcie kolektora-emitera U(CES): ...

INFINEON Moduły falownika hamulca konwertera Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 25 ns · Dalsze dane techniczne: (UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 5,8 V · (ICpuls) Impulsowy prąd ...

Tranzysor IGBT IXYS IXGN200N60B3 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 44 ns · I (CM): 1200 A · Kod producenta: IXY · Konfiguracja: Pojedynczy · Moc (maks) P(TOT): 830 W · Napięcie kolektora...

Dysk IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-268AA Dane techniczne: Dalsze dane techniczne: Rodzaj opakowania: TO-268HV VCES – napięcie kolektor-emiter (V): 3000 V Prąd kolektora przy 25℃ (A): 104A VCE(sat) - Na...

Dysk IGBT NPT HiVoltage SOT-227B (mini Dane techniczne: Dalsze dane techniczne: Rodzaj opakowania: SOT-227 VCES – napięcie kolektor-emiter (V): 1700 V Prąd kolektora przy 25℃ (A): 280A VCE(sat) – n...

Płyta IGBT NPT-bardzo wysokie napięcie i4-Pac Dane techniczne: Dalsze dane techniczne: Rodzaj opakowania: i4-Pac (3HV) VCES – napięcie kolektor-emiter (V): 2500 V Prąd kolektora przy 25℃ (A): 32A V...

INFINEON Moduły falownika hamulca konwertera Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 26 ns · Dalsze dane techniczne: (UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 5,8 V · (ICpuls) Impulsowy prąd ...

Płyta IGBT PT-Low Freq SOT-227B (mini Dane techniczne: Dalsze dane techniczne: Rodzaj opakowania: SOT-227 VCES – napięcie kolektor-emiter (V): 600 V Prąd kolektora przy 25℃ (A): 320A VCE(sat) – nap...

Płyta IGBT XPT-GenX3 SOT-227B (mini Dane techniczne: Dalsze dane techniczne: Rodzaj opakowania: SOT-227B (miniblok) VCES – napięcie kolektor-emiter (V): 1200 V Prąd kolektora przy 25℃ (A): 88A VCE(...

INFINEON Moduły falownika hamulca konwertera Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 18 ns · Dalsze dane techniczne: (UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 5,8 V · (ICpuls) Impulsowy prąd ...

Zestaw tranzystorów i trymerów Wzmacniaj lub przełączaj sygnały elektroniczne i energię elektryczną za pomocą tych tranzystorów. W zestawie znajdują się również potencjometry, które można wykorzyst...

Płyta IGBT XPT-GenX3 TO-247AD Dane techniczne: Dalsze dane techniczne: Rodzaj opakowania: TO-247 VCES – napięcie kolektor-emiter (V): 1200 V Prąd kolektora przy 25℃ (A): 200A VCE(sat) – napięcie na...

Zestaw tranzystorów Zawartość: 100 szt 8 różnych typów Uwaga! Opis tego produktu został przetłumaczony automatycznie. Jeśli możemy poprawić go dzięki Tobie, prosimy o kontakt pod adresem: conrad@co...

Tranzysor IGBT IXYS IXGH72N60A3 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 31 ns · I (CM): 400 A · Kod producenta: IXY · Konfiguracja: Pojedynczy · Moc (maks) P(TOT): 540 W · Napięcie kolektora-e...

Tranzystor IGBT Infineon Infineon Technologies SGW25N120 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 45 ns · I (CM): 84 A · Kod producenta: INF · Konfiguracja: Pojedynczy · Moc (maks) P(TOT): 313 ...

INFI IGBT z FRED IKQ_, IKW_, IRG4PS_ Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 33 ns · Dalsze dane techniczne: (UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 4,9 V · (ICpuls) Impulsowy prąd kolektor...

Tranzysor IGBT IXYS IXGH32N120A3 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 39 ns · I (CM): 230 A · Kod producenta: IXY · Konfiguracja: Pojedynczy · Moc (maks) P(TOT): 300 W · Napięcie kolektora-...