Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły IGBT ---

  Moduły IGBT (12 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☑
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Znak jakości x
Cena ^v
Zamów
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 300A; Trench (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Obudowa: Dual INT-A-Pak Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impulsie: 72...
Vishay
VS-GT300YH120N
brak danych
PLN 1 071,10*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A; SOT227B (2 ofert) 
Producent: VISHAY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 240A...
Vishay
VS-GT100DA120UF
brak danych
PLN 142,247*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 106A; SOT227B (2 ofert) 
Producent: VISHAY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 106A Prąd kolektora w impulsie: 350A...
Vishay
VS-GT90DA120U
brak danych
PLN 142,037*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 185A; SOT227B (2 ofert) 
Producent: VISHAY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 185A Prąd kolektora w impulsie: 390A...
Vishay
VS-GT180DA120U
brak danych
PLN 161,782*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 80A; SOT227B (2 ofert) 
Producent: VISHAY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 170A ...
Vishay
VS-GT80DA120U
brak danych
PLN 139,116*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT,termistor (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Obudowa: MTP Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 250A Mont...
Vishay
VS-50MT060PHTAPBF
brak danych
PLN 431,86*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Obudowa: Dual INT-A-Pak LP16mm Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w ...
Vishay
VS-GT400TD60S
brak danych
PLN 1 346,10*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 650V (2 ofert) 
Producent: VISHAY Obudowa: INT-A-Pak Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 378A Prąd kolektora w impulsie: 810...
Vishay
VS-GT200TS065S
brak danych
PLN 471,855*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 650V (2 ofert) 
Producent: VISHAY Obudowa: INT-A-Pak Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 280A Prąd kolektora w impulsie: 750...
Vishay
VS-GT150TS065S
brak danych
PLN 406,142*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 650V (2 ofert) 
Producent: VISHAY Obudowa: INT-A-Pak Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 72A Prąd kolektora w impulsie: 240A...
Vishay
VS-GT100TS065N
brak danych
PLN 299,538*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 650V (2 ofert) 
Producent: VISHAY Obudowa: INT-A-Pak Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 185A Prąd kolektora w impulsie: 660...
Vishay
VS-GT100TS065S
brak danych
PLN 346,144*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 650V (2 ofert) 
Producent: VISHAY Obudowa: INT-A-Pak Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 144A Prąd kolektora w impulsie: 450...
Vishay
VS-GT200TS065N
brak danych
PLN 385,097*
za szt.
 
 szt.
Liczba artykułów na stronie: 10   Wszystkie   
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.