Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły IGBT

  Moduły IGBT (1 136 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☑
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Znak jakości x
Cena ^v
Powrót
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GA12V 22892103
brak danych
PLN 1 146,44*
za szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GA12E4 22892104
brak danych
PLN 1 010,77*
za szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GA12T4 22892100
brak danych
PLN 966,74*
za szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A; AG-62MM (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w...
Infineon
FZ400R12KS4HOSA1
brak danych
PLN 536,07*
za szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A; D59 (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA125D 21915560
brak danych
PLN 1 751,12*
za szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 42A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w i...
Microchip Technology
APT40GF120JRDQ2
brak danych
PLN 241,35*
za szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 42A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w i...
Microchip Technology
APT40GF120JRD
brak danych
PLN 249,38*
za szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 46A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 380A Mo...
IXYS
IXYN82N120C3
brak danych
PLN 207,07*
za szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; GJ-U (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Obudowa: GJ-U Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Prąd kolektora: 50A Zastosowanie: silniki;falownik Montaż elektryczny: prz...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG50U12GJ
brak danych
PLN 118,42*
za szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; GJ-UZ (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Obudowa: GJ-UZ Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Prąd kolektora: 50A Zastosowanie: silniki;falownik Montaż elektryczny: pr...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG50UZ12GJ
brak danych
PLN 118,54*
za szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w i...
Microchip Technology
APT50GR120JD30
brak danych
PLN 214,17*
za szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 240A Mo...
IXYS
IXGN50N120C3H1
brak danych
PLN 198,48*
za szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 56A; SOT227B (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 56A Prąd kolektora w impulsie: 150A Mo...
IXYS
IXA60IF1200NA
brak danych
PLN 211,587*
za szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 57A Prąd kolektora w i...
Microchip Technology
APT75GN120JDQ3
brak danych
PLN 272,79*
za szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 57A Prąd kolektora w i...
Microchip Technology
APT75GT120JRDQ3
brak danych
PLN 272,07*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   21   22   23   24   25   26   27   28   29   30   31   ..   76   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.