Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły IGBT

  Moduły IGBT (1 135 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2 (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prą...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GM12E4 22892094
PLN 1 974,13*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2 (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 450A Prą...
SEMIKRON DANFOSS
SKM450GM12E4D1 22892140
PLN 1 631,84*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2 (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prą...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GM12T4 22892470
PLN 968,11*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM-1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A...
Infineon
FF300R12KT3EHOSA1
PLN 926,22*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2 (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prą...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GM12T4 22892490
PLN 1 463,26*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2 (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prą...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GM17E4 22895160
PLN 1 786,35*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2 (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMiX® 3p Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 450A Prąd...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX453GM12E4P 27895064
PLN 2 900,99*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM-1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A...
Infineon
FF200R12KT3EHOSA1
PLN 578,74*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2 (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prą...
SEMIKRON DANFOSS
SKM150GM12T4G 22892460
PLN 833,85*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2; SP4 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SP4 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd k...
Microchip Technology
APTGT200DU60TG
PLN 537,85*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2; SP4 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SP4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd k...
Microchip Technology
APTGT100DU120TG
PLN 574,13*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2; SP6 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SP6 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 225A Prąd k...
Microchip Technology
APTGT225DU170G
PLN 1 678,91*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x3 (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A P...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 39GA12T4V1 25232770
PLN 1 193,00*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; IGBT x2,termistor NTC; SP3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SP3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impu...
Microchip Technology
APTGT100A120T3AG
PLN 549,45*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; IGBT x2; Urmax: 1,7kV; Ic: 800A (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 800A Prąd kolektora w impulsie: 1,6kA Mon...
ABB
5SND 0800M170100
PLN 5 611,81*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   31   32   33   34   35   36   37   38   39   40   41   ..   76   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.