Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Moduły IGBT

  Moduły IGBT (1 136 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 75A; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: KYOCERA AVX Napięcie wsteczne maks.: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 150A Montaż elektryczny: przykręcany Montaż mechaniczny: przykręca...
KYOCERA AVX
PCHMB75W6
PLN 511,27*
za szt.
PLN 511,27*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor,wspólna bramka,wspólny emiter (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 1,6kA Prąd kolek...
ABB
5SNE 1600E170300
PLN 6 315,51*
za szt.
PLN 6 315,51*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor,wspólna bramka,wspólny emiter (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 3,3kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 800A Prąd kolekt...
ABB
5SNE 0800E330100
PLN 7 521,73*
za szt.
PLN 7 521,73*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor,wspólna bramka,wspólny emiter (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 3,3kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 1kA Prąd kolekto...
ABB
5SNE 1000E330300
PLN 7 466,62*
za szt.
PLN 7 466,62*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor,wspólna bramka,wspólny emiter (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 2,4kA Prąd kolek...
ABB
5SNE 2400E170300
PLN 7 080,68*
za szt.
PLN 7 080,68*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor,wspólna bramka,wspólny emiter (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 4,5kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 800A Prąd kolekt...
ABB
5SNE 0800G450300
PLN 8 931,61*
za szt.
PLN 8 931,61*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; 3-phase PFC; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: V1-A-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 65A Zastosowanie: falownik Montaż elektry...
IXYS
VUI30-12N1
PLN 194,46*
za szt.
PLN 194,46*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 300A; Trench (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Obudowa: Dual INT-A-Pak Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impulsie: 72...
Vishay
VS-GT300YH120N
PLN 1 070,97*
za szt.
PLN 1 070,97*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper x2,termistor NTC (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SP3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: ...
Microchip Technology
APTGL60DDA120T3G
PLN 442,95*
za szt.
PLN 442,95*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,buck chopper; 290W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: V1-A-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 150A Moc r...
IXYS
MIXA60HU1200VA
PLN 155,48*
za szt.
PLN 155,48*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,buck chopper; HIPAK (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 800A Prąd kolektora w impulsie: 1,6kA Montaż e...
ABB
5SNE 0800M170100
PLN 5 252,69*
za szt.
PLN 5 252,69*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor NTC (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SimBus F Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 250A Prąd kolektora w impulsie: 500A Moc r...
IXYS
MIXA225RF1200TSF
PLN 312,17*
za szt.
PLN 312,17*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor NTC; SP1 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SP1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie:...
Microchip Technology
APTGLQ100DA120T1G
PLN 404,81*
za szt.
PLN 404,81*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 150A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX1S Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GAL12E4S 27890102
PLN 825,57*
za szt.
PLN 825,57*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 150A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX1S Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GAL12VS 27890103
PLN 899,76*
za szt.
PLN 899,76*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   76   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.