![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
|
|
od PLN 11,27* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,54* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 9,41* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,993* za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AO4892 |
od PLN 0,70* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor SP8K52FRATB |
od PLN 1,86* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor SH8K52GZETB |
od PLN 1,29* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,553* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,88* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,78* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,99* za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 75A; 300ns (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewod... |
|
od PLN 63,13* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,20* za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 12V; 1,6A; 900mW (1 Oferta) Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: X2-DFN1310-6 Napięcie dren-źródło: 12V Prąd drenu: 1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,... |
|
od PLN 1,42* za 5 szt. |
|
|
|
|
od PLN 7 799,60* za 4 000 szt. |
|
|