Tranzystory z kanałem N SMD kup korzystnie w Mercateo

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V (1 Oferta)

Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 115W P...

Qorvo (UnitedSiC)

UJ3C065080B3

od PLN 43,22*
za szt.

Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 47A (1 Oferta)

Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Pol...

Qorvo (UnitedSiC)

UJ3C065030B3

od PLN 140,35*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; CoolGaN™; unipolarny; HEMT; 600V; 12,5A; 55,5W (2 ofert)

Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE...

Infineon

IGT60R190D1SATMA1

od PLN 33,86*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; CoolGaN™; unipolarny; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-DSO-20 Prąd bramki: 20mA Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-JFET Moc rozp...

Infineon

IGOT60R070D1AUMA1

od PLN 76,61*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; GaN; unipolarny; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W (2 ofert)

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: PowerFLAT 5x6 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 192W Pol...

ST Microelectronics

SGT120R65AL

od PLN 10,89*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,35W; SOT23; 50mA (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 100Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśm...

onsemi

MMBFJ113

od PLN 0,334*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,35W; SOT23; 50mA (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 30Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma...

onsemi

MMBFJ111

od PLN 0,439*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,35W; SOT23; 50mA (3 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka-źródło: -40V

onsemi

MMBF5103

od PLN 0,325*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,35W; SOT23; 50mA (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 50Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma...

onsemi

MMBFJ112

od PLN 0,358*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,35W; SOT23; 50mA (3 ofert)

onsemi

MMBFJ201

od PLN 0,423*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,35W; SuperSOT-3; 10mA (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SuperSOT-3 Prąd bramki: 10mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 8Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: t...

onsemi

MMBFJ108

od PLN 0,82*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,46W; SOT23; 10mA (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 10mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 18Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,46W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma...

onsemi

MMBFJ110

od PLN 0,77*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 1,4mA; 0,1W; SC59; Igt: 10mA (1 Oferta)

Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC59 Prąd bramki: 10mA Prąd drenu: 1,4mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,1W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka...

Toshiba

2SK208-O(TE85L,F)

od PLN 0,69*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 14mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA (1 Oferta)

Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC59 Prąd bramki: 10mA Prąd drenu: 14mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,15W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka...

Toshiba

2SK209-BL(TE85L,F)

od PLN 0,83*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 15V; 50mA; 0,2W; SOT23; Igt: 10mA (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 10mA Napięcie dren-źródło: 15V Prąd drenu: 50mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: ta...

onsemi

2SK932-23-TB-E

od PLN 0,80*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 15V; 50mA; 0,2W; SOT23; Igt: 10mA (2 ofert)

onsemi

2SK932-24-TB-E

od PLN 1,02*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 20mA; 0,25W; SOT23; Igt: 50mA (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Prąd drenu: 20mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka...

onsemi

BSR57

od PLN 0,45*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 225mW; SOT23; 50mA (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka-źródło: -40V

onsemi

MMBF4117

od PLN 0,59*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 25V; 0,225W; SOT23; 10mA (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 10mA Napięcie dren-źródło: 25V Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napię...

onsemi

MMBFU310LT1G

od PLN 0,69*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 25V; 0,225W; SOT23; 10mA (3 ofert)

onsemi

MMBFJ310LT1G

od PLN 0,409*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 25V; 30mA; 0,225W; SOT23; Igt: 10mA (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 10mA Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 30mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: ...

onsemi

MMBFJ309LT1G

od PLN 0,363*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 30V; 0,225W; SOT23; 50mA (3 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Napięcie dren-źródło: 30V Rezystancja w stanie przewodzenia: 30Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipolar...

onsemi

MMBF4391LT1G

od PLN 0,43*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 30V; 25mA; 0,225W; SOT23; Igt: 50mA (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 25mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 60Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Pola...

onsemi

MMBF4392LT1G

od PLN 0,42*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 325mW; SOT23; 50mA (3 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 325mW Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka-źródło: -40V

onsemi

MMBFJ202

od PLN 0,391*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 6,5mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA (2 ofert)

Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC59 Prąd bramki: 10mA Prąd drenu: 6,5mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,15W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramk...

Toshiba

2SK209-GR(TE85L,F)

od PLN 0,632*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 6,5mA; 0,1W; SC59; Igt: 10mA (1 Oferta)

Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC59 Prąd bramki: 10mA Prąd drenu: 6,5mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,1W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka...

Toshiba

2SK208-GR(TE85L,F)

od PLN 0,72*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 80mA; 0,25W; SOT23; Igt: 50mA (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Prąd drenu: 80mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 60Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj ...

onsemi

BSR58

od PLN 1,345*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 25V; 60A (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 34,7W P...

Vishay

SIRC16DP-T1-GE3

od PLN 3,12*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (2 ofert)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 145,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,01mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: ...

Vishay

SISS60DN-T1-GE3

od PLN 2,479*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (2 ofert)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 142,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: ...

Vishay

SISS66DN-T1-GE3

od PLN 3,28*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 18A (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 17,...

Vishay

SIS780DN-T1-GE3

od PLN 1,29*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 40A (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,86mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 36W...

Vishay

SISS64DN-T1-GE3

od PLN 2,99*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 40A (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 29,6W ...

Vishay

SISC06DN-T1-GE3

od PLN 2,06*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 60A (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 27,5W P...

Vishay

SIRC10DP-T1-GE3

od PLN 1,97*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 60A (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,54mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 34,7W ...

Vishay

SIRC18DP-T1-GE3

od PLN 2,93*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 60A (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 32W Polar...

Vishay

SIRC06DP-T1-GE3

od PLN 2,06*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 20V; 1,5A; Idm: 3A (1 Oferta)

Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 1...

ROHM Semiconductor

QS5U34TR

od PLN 0,51*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 2A; Idm: 8A (1 Oferta)

Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 154mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 0,9...

ROHM Semiconductor

QS5U12TR

od PLN 0,59*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 2A; Idm: 8A (1 Oferta)

Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 0,9W...

ROHM Semiconductor

QS5U13TR

od PLN 0,44*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 2A; Idm: 8A (1 Oferta)

ROHM Semiconductor

QS5U17TR

od PLN 0,58*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 500mA; Idm: 2A (1 Oferta)

Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 154mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 1...

ROHM Semiconductor

QS5U16TR

od PLN 0,54*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 100V; 19,5A; 33W (2 ofert)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 19,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 54,1/51,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 33W Polaryzacja: unipolarny R...

Vishay

SIZ270DT-T1-GE3

od PLN 3,24*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 20V; 16/35A (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 16/35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9/4,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 27/48W Polaryzacja: unipolarny Ro...

Vishay

SIZ710DT-T1-GE3

od PLN 10 459,05*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 20V; 4,5A; 1W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: TSSOP8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 43mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: unipol...

Vishay

SI6926ADQ-T1-GE3

od PLN 1,97*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 20V; 4,5A; 7,8W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 63mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 7,8W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj op...

Vishay

SIA906EDJ-T1-GE3

od PLN 1,15*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 20V; 515mA; 280mW (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SC89;SOT563 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 515mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,28W Polaryzac...

Vishay

SI1024X-T1-GE3

od PLN 0,89*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 25V; 30/40A (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 30/40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,7/6,58mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16,7/31W Polaryzacja: unipola...

Vishay

SIZ320DT-T1-GE3

od PLN 5 699,97*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 25V; 30A; 16,7W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16,7W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opa...

Vishay

SIZ322DT-T1-GE3

od PLN 1,78*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 25V; 40/60A (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 40/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,9/3,35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 20,2/40W Polaryzacja: unipolar...

Vishay

SIZ926DT-T1-GE3

od PLN 3,06*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 12/16A (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 12/16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30/17mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 20/30W Polaryzacja: unipolarny Ro...

Vishay

SIZ704DT-T1-GE3

od PLN 9 329,82*
za 3 000 szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 94 Dalej

Tranzystory z kanałem N SMD (4 657 artykułów)