Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT ---

  Tranzystory z kanałem N THT (1 312 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Tranzystor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolarny; 100V; 120A; 315W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 315W Polar...
ST Microelectronics
STP310N10F7
od PLN 12,112*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolarny; 600V; 11A; 30W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryza...
ST Microelectronics
STF24N60DM2
od PLN 7,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolarny; 600V; 10A; 140W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 140W Polaryza...
ST Microelectronics
STW21NM60ND
od PLN 10,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolarny; 600V; 18A; 190W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 97mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW34NM60ND
od PLN 13,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolarny; 600V; 18A; Idm: 116A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryz...
ST Microelectronics
STF34NM60ND
od PLN 14,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolarny; 600V; 6,3A; 90W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polary...
ST Microelectronics
STP11NM60ND
od PLN 5,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolarny; 600V; 6,93A; Idm: 44A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6,93A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 109W Pola...
ST Microelectronics
STP13NM60ND
od PLN 4,50*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolarny; 500V; 14A; 214W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 214W Polaryza...
ST Microelectronics
STW20NM50FD
od PLN 9,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolarny; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 192W Polary...
ST Microelectronics
STP20NM50FD
od PLN 7,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolarny; 600V; 12,6A; 214W; TO247 (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 214W Polary...
ST Microelectronics
STW20NM60FD
od PLN 8,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolarny; 600V; 12,6A; 45W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polar...
ST Microelectronics
STP20NM60FD
od PLN 8,19*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolarny; 600V; 7A; 160W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 160W Polaryz...
ST Microelectronics
STP11NM60FD
od PLN 6,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 100V; 420A; 1670W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 420A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1670...
IXYS
IXFK420N10T
od PLN 52,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 150V; 240A; 1250W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 240A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25...
IXYS
IXFK240N15T2
od PLN 58,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 150V; 360A; 1670W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1670W ...
IXYS
IXFK360N15T2
od PLN 87,54*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   88   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.