Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 043 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2...
IXYS
IXFB44N100P
od PLN 110,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 67A; Idm: 268A; 694W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M65LLLG
od PLN 109,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 21A; Idm: 84A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryz...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10050LVRG
od PLN 109,33*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 43A; Idm: 160A; 438W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 438W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R45MT17K
od PLN 109,25*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 27A; 1135W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,58Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT26F120B2
od PLN 109,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 140A; Idm: 314A; 714W (1 Oferta) 
Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 714W Pola...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0016120K
od PLN 109,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolarny; 650V; 61A; 625W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: MAX247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 61A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polaryza...
ST Microelectronics
STY112N65M5
od PLN 109,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 16A; Idm: 105A; 1135W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,58Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT26F120L
od PLN 109,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 31A; Idm: 124A; 565W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8024LFLLG
od PLN 108,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 429W ...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C120040K3S
od PLN 107,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 26A; 960W; TO264 (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFK26N120P
od PLN 107,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 54A; Idm: 216A; 690W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6010B2LLG
od PLN 106,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO247MAX (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,46Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10045B2FLLG
od PLN 106,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 420ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W ...
IXYS
IXTK110N20L2
od PLN 106,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 60A; 960W; TO264; 980ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 980ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W P...
IXYS
IXTK60N50L2
od PLN 106,44*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.