Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 043 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,46Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10045LFLLG
od PLN 106,37*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolarny; 100V; 200A; 1040W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 245ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04k...
IXYS
IXTK200N10L2
od PLN 106,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 8A; Idm: 32A; 266W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 266W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1001R6BFLLG
od PLN 105,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 12A; Idm: 48A; 403W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R2BFLLG
od PLN 105,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 60A; 960W; PLUS247™; 980ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 980ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960...
IXYS
IXTX60N50L2
od PLN 105,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 266ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960...
IXYS
IXTX90N25L2
od PLN 105,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2kV; 4A; 215W; 520ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024c Czas gotowości: 520ns Napięcie dren-źródło: 2kV Prąd drenu: 4A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 215W Polaryzacja: unipolarny Rod...
IXYS
IXTF6N200P3
od PLN 104,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 50A; 570W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 72mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 570W Polaryzacja: unip...
IXYS
IXFR80N50Q3
od PLN 104,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 64A; 1250W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 64A Rezystancja w stanie przewodzenia: 95mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25kW Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXFK64N60Q3
od PLN 104,63*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10045LLLG
od PLN 104,25*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M18B2VFRG
od PLN 104,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 900V; 52A; 1250W; 300ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,...
IXYS
IXFB52N90P
od PLN 103,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 90A; Idm: 220A; 565W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: HIP247™ Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Polaryz...
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V
od PLN 103,699*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 100A; Idm: 400A; 694W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M16B2FLLG
od PLN 103,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 100A; Idm: 400A; 694W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M16LFLLG
od PLN 103,19*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.