Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 043 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 62A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 441W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UF3C065030K3S
od PLN 194,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; Idm: 200A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC035SMA170B
od PLN 190,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 52A; Idm: 208A; 893W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8014L2LLG
od PLN 189,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 800...
IXYS
IXTB62N50L
od PLN 186,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 24A; 520W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i5-pac™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryzacja...
IXYS
IXFL32N120P
od PLN 181,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 108A; Idm: 340A; 625W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 108A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M14120Q
od PLN 180,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 50V; TO247-3; THT (1 Oferta) 
Producent: NXP Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 50V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Cena jednostkowa: Nie Montaż elektryczny: THT Rodzaj tranzystora:...
NXP
MRF300AN
od PLN 180,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Cena jednostkowa: Nie Rodzaj kanału: wzbogacany
ST Microelectronics
SCT015W120G3-4AG
od PLN 177,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 38A; 694W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8020B2LLG
od PLN 174,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 52A; Idm: 208A; 893W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8014L2FLLG
od PLN 174,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 73A; Idm: 412A; 267W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 267W Polaryzacja: unipo...
onsemi
NTHL020N120SC1
od PLN 171,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 65A; 833W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 833W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M80L2VRG
od PLN 168,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 38A; Idm: 152A; 694W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8020LFLLG
od PLN 167,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; Idm: 160A; 520W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M45170B
od PLN 164,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12057LFLLG
od PLN 163,66*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.