Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 043 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 12A; 400W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R2BLLG
od PLN 136,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 22A; 700W; PLUS247™; 1us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 700W P...
IXYS
IXTX22N100L
od PLN 136,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; Idm: 200A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC035SMA170B4
od PLN 135,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 44A; 1560W; PLUS264™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,56kW Polaryzacja: unipo...
IXYS
IXFB44N100Q3
od PLN 134,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1,75us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 1,75µs Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W...
IXYS
IXTH1N450HV
od PLN 134,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 3kV; 2A; 520W; TO247HV; 400ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 3kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Po...
IXYS
IXTH2N300P3HV
od PLN 134,43*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 99A; Idm: 350A; 455W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 99A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 455W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC015SMA070B4
od PLN 133,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolarny; 650V; 87A; 625W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: MAX247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 87A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polaryza...
ST Microelectronics
STY145N65M5
od PLN 133,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 20A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12060LVFRG
od PLN 133,63*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 0,2A; 78W; 1,6us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024c Czas gotowości: 1,6µs Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 625Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc r...
IXYS
IXTF02N450
od PLN 133,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 18A; Idm: 72A; 565W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 670mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12067LFLLG
od PLN 133,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 54A; Idm: 216A; 690W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6010LFLLG
od PLN 132,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 38A; Idm: 152A; 694W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8020B2FLLG
od PLN 132,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™ (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 570W Polaryzacja: unip...
IXYS
IXFR32N100Q3
od PLN 132,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M18LVFRG
od PLN 131,92*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.