Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (3 947 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolarny; 600V; 32A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzyst...
IXYS
FMD47-06KC5
od PLN 93,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolarny; 600V; 38A; 280W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzyst...
IXYS
FMD40-06KC
od PLN 88,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolarny; 100V; 200A; 1040W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 245ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04k...
IXYS
IXTK200N10L2
od PLN 106,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolarny; 100V; 75A; 400W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W...
IXYS
IXTH75N10L2
od PLN 42,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolarny; 200V; 110A; 960W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 420ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 96...
IXYS
IXTX110N20L2
od PLN 115,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 500V; 58A; Idm: 232A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APL502LG
od PLN 231,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 500V; 58A; Idm: 232A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APL502B2G
od PLN 201,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 196A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APL602LG
od PLN 239,63*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 196A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APL602B2G
od PLN 231,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 400V; 24A; Idm: 152A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 72mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryz...
ST Microelectronics
STP45N40DM2AG
od PLN 19,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 600V; 11A; Idm: 72A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryz...
ST Microelectronics
STP24N60DM2
od PLN 9,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 600V; 14A; Idm: 84A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 170W Polary...
ST Microelectronics
STP28N60DM2
od PLN 10,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 600V; 15,5A; 190W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Pola...
ST Microelectronics
STP33N60DM2
od PLN 13,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 600V; 17A; 210W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 94mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 210W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW35N60DM2
od PLN 18,043*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 600V; 17A; 210W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 210W Polary...
ST Microelectronics
STP35N60DM2
od PLN 10,83*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   264   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.