Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 043 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 32A; 960W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFK32N90P
od PLN 125,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 54A; Idm: 216A; 690W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6010B2FLLG
od PLN 124,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1,7us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 1,7µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 700...
IXYS
IXTX8N150L
od PLN 124,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 150V; 400A; Idm: 900A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 132ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 400A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25kW...
IXYS
IXFK400N15X3
od PLN 123,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 55A; Idm: 137A; 262W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 52mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polary...
ROHM Semiconductor
SCT3040KRC14
od PLN 123,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 150V; 400A; Idm: 900A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 132ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 400A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2...
IXYS
IXFX400N15X3
od PLN 122,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 90A; Idm: 240A; 542W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 542W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R20MT12K
od PLN 121,87*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Cena jednostkowa: Nie Rodzaj kanału: wzbogacany
ST Microelectronics
SCTWA50N120
od PLN 121,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 44A; 1250W; TO264 (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25kW Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFK44N80Q3
od PLN 121,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 43A; Idm: 160A; 438W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 438W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R45MT17D
od PLN 121,05*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 44A; 1250W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25kW Polaryzacja: unip...
IXYS
IXFX44N80Q3
od PLN 120,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 58A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M80LVFRG
od PLN 118,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 9A; 300W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R4BFLLG
od PLN 118,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W (2 ofert) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polaryz...
ROHM Semiconductor
SCT3030ARC14
od PLN 118,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Cena jednostkowa: Nie Rodzaj kanału: wzbogacany
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
od PLN 117,57*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.