Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 043 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Cena jednostkowa: Nie Rodzaj kanału: wzbogacany
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V
od PLN 116,83*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 42A; 568W; ISOPLUS247™ (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,104Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W Polaryzacja: un...
IXYS
IXFR64N60Q3
od PLN 116,61*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 54A; Idm: 216A; 690W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6010LLLG
od PLN 116,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 50A; Idm: 130A; 318W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: HIP247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 318W Polary...
ST Microelectronics
SCT50N120
od PLN 116,284*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 62A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 441W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030T3S
od PLN 115,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 99A; Idm: 350A; 400W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 99A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC015SMA070B
od PLN 115,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolarny; 200V; 110A; 960W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 420ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 96...
IXYS
IXTX110N20L2
od PLN 114,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Cena jednostkowa: Nie Rodzaj kanału: wzbogacany
ST Microelectronics
SCTW100N65G2AG
od PLN 114,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 84A; Idm: 336A; 568W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 84A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M36LLLG
od PLN 113,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polaryzac...
ROHM Semiconductor
SCT3030ALGC11
od PLN 112,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 67A; Idm: 268A; 694W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M65LFLLG
od PLN 111,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,43Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 290W Polaryzacja: unip...
IXYS
IXFR26N100P
od PLN 111,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 67A; Idm: 268A; 694W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M65B2FLLG
od PLN 111,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 10A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R5BVFRG
od PLN 110,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 62A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 441W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030K3S
od PLN 110,14*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.