Tranzystory z kanałem N THT kup korzystnie w Mercateo

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 130V; 40A; 500W; M244; 17dB (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Obudowa: M244 Częstotliwość: 175MHz Napięcie dren-źródło: 130V Prąd drenu: 40A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 17dB Moc wyjściowa: 350W Moc rozpraszana: 500W Sp...

ST Microelectronics

SD2942W

od PLN 836,34*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 125V; 40A; 500W; M244; 16dB (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Obudowa: M244 Częstotliwość: 175MHz Napięcie dren-źródło: 125V Prąd drenu: 40A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 16dB Moc wyjściowa: 300W Moc rozpraszana: 500W Sp...

ST Microelectronics

SD2932W

od PLN 727,68*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 80V; 18A; 200W; M246; 18dB; 70% (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Obudowa: M246 Częstotliwość: 860MHz Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 18A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 18dB Moc wyjściowa: 150W Moc rozpraszana: 200W Spr...

ST Microelectronics

LET9120

od PLN 560,22*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 3,3kV; 26A; Idm: 100A; 381W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 3,3kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,105Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 381W P...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC080SMA330B4

od PLN 471,82*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 2A; 220W; ISOPLUS i5-pac™ (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i5-pac™ Czas gotowości: 1,75µs Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozprasza...

IXYS

IXTL2N450

od PLN 468,59*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Technologia: POWER MOS 5® Rodzaj kanału: wzbogacany

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6040BVRG

od PLN 448,18*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,7kV; 2A; 220W; ISOPLUS i5-pac™ (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i5-pac™ Czas gotowości: 1,75µs Napięcie dren-źródło: 4,7kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozprasza...

IXYS

IXTL2N470

od PLN 394,75*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 88A; Idm: 300A; 809W (1 Oferta)

Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 88A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 809W Pol...

Genesic Semiconductor

G3R20MT17K

od PLN 379,16*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; 520W; TO247-3 (2 ofert)

Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...

Wolfspeed

C2M0045170D

od PLN 375,96*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10026L2FLLG

od PLN 311,87*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 30A; Idm: 120A; 893W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Po...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12040L2FLLG

od PLN 303,42*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 1,4A; Idm: 4,2A; 190W (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024c Czas gotowości: 660ns Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc ro...

IXYS

IXTF1R4N450

od PLN 293,10*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10026L2LLG

od PLN 278,41*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2,8A; Idm: 25A; 125W; TO3 (1 Oferta)

Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: ...

NTE Electronics

NTE2386

od PLN 264,80*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2,5kV; 3A; 417W; TO264; 370ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 370ns Napięcie dren-źródło: 2,5kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Po...

IXYS

IXTK3N250L

od PLN 261,59*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 3kV; 4A; 960W; 420ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-HV Czas gotowości: 420ns Napięcie dren-źródło: 3kV Prąd drenu: 4A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opako...

IXYS

IXTX4N300P3HV

od PLN 255,78*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2,5kV; 3A; 417W; PLUS247™; 370ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 370ns Napięcie dren-źródło: 2,5kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W...

IXYS

IXTX3N250L

od PLN 244,95*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 196A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APL602LG

od PLN 244,60*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 85A; Idm: 250A; 556W (2 ofert)

Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 85A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 556W Polaryz...

Wolfspeed

C3M0016120K

od PLN 244,13*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 1,4A; Idm: 5A; 960W; 660ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-HV Czas gotowości: 660ns Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana...

IXYS

IXTX1R4N450HV

od PLN 240,64*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 196A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W P...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APL602B2G

od PLN 237,07*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 500V; 58A; Idm: 232A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APL502LG

od PLN 236,75*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 2kV; 6A; 960W; 520ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-HV Czas gotowości: 520ns Napięcie dren-źródło: 2kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960...

IXYS

IXTX6N200P3HV

od PLN 232,40*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 90A; 463W; TO247-3 (2 ofert)

Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 45ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...

Wolfspeed

C2M0025120D

od PLN 227,011*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 800W ...

IXYS

IXTB30N100L

od PLN 225,51*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 900V; 83A; Idm: 472A; 251W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 83A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 251W Polaryzacja: unipol...

onsemi

NVHL020N090SC1

od PLN 223,38*
za szt.

Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 62A (1 Oferta)

Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 441W P...

Qorvo (UnitedSiC)

UF3C065030K4S

od PLN 210,67*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 73A; Idm: 292A; 893W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT60M75L2LLG

od PLN 210,61*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 73A; Idm: 292A; 893W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT60M75L2FLLG

od PLN 210,35*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 500V; 58A; Idm: 232A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APL502B2G

od PLN 206,14*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 3kV; 1,6A; Idm: 6A; 160W (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024c Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 3kV Prąd drenu: 1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozp...

IXYS

IXTF2N300P3

od PLN 205,89*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; Idm: 200A; 370W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC035SMA170B

od PLN 201,20*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 52A; Idm: 208A; 893W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Po...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8014L2LLG

od PLN 200,24*
za szt.

Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 62A (1 Oferta)

Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 441W P...

Qorvo (UnitedSiC)

UF3C065030K3S

od PLN 195,82*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2,5kV; 1A; 110W; 2,5us (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024c Czas gotowości: 2,5µs Napięcie dren-źródło: 2,5kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozp...

IXYS

IXTF1N250

od PLN 191,68*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 108A; Idm: 340A; 625W (1 Oferta)

Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 108A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...

LUGUANG ELECTRONIC

LGE3M14120Q

od PLN 190,63*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 800...

IXYS

IXTB62N50L

od PLN 188,55*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 38A; 694W; T-Max (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8020B2LLG

od PLN 184,98*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 52A; Idm: 208A; 893W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Po...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8014L2FLLG

od PLN 184,41*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 24A; 520W (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i5-pac™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryzacja...

IXYS

IXFL32N120P

od PLN 184,21*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 50V; TO247-3; THT (1 Oferta)

Producent: NXP Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 50V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Montaż elektryczny: THT Rodzaj tranzystora: RF Rodzaj kanału: wzb...

NXP

MRF300AN

od PLN 180,59*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 65A; 833W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 833W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT60M80L2VRG

od PLN 179,24*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Rodzaj kanału: wzbogacany

ST Microelectronics

SCT015W120G3-4AG

od PLN 179,05*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 38A; Idm: 152A; 694W; TO264 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8020LFLLG

od PLN 178,07*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; Idm: 160A; 520W (1 Oferta)

Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polary...

LUGUANG ELECTRONIC

LGE3M45170B

od PLN 174,05*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 73A; Idm: 412A; 267W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 267W Polaryzacja: unipo...

onsemi

NTHL020N120SC1

od PLN 173,70*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO264 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12057LFLLG

od PLN 173,48*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 38A; 694W; TO264 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8020LLLG

od PLN 172,41*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; Idm: 160A; 520W (1 Oferta)

Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polary...

LUGUANG ELECTRONIC

LGE3M45170Q

od PLN 169,99*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 100A; 520W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M11LVRG

od PLN 165,23*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 20A; 1250W; TO264; 1,1us (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 1,1µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25kW ...

IXYS

IXTK20N150

od PLN 162,63*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 22A; Idm: 88A; 690W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W P...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12057B2FLLG

od PLN 162,42*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 73A; Idm: 275A; 500W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC025SMA120B4

od PLN 158,46*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 77A; 833W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 77A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 833W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT50M60L2VRG

od PLN 157,67*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 55A; 262W; TO247 (1 Oferta)

Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polaryza...

ROHM Semiconductor

SCT3040KLGC11

od PLN 157,67*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny (2 ofert)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Rodzaj kanału: wzbogacany

ST Microelectronics

SCTWA70N120G2V-4

od PLN 157,44*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 89A; Idm: 356A; 893W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 89A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT50M50L2LLG

od PLN 157,12*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 22A; Idm: 88A; 690W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12057B2LLG

od PLN 155,75*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 80A; Idm: 280A; 455W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 455W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC017SMA120B4

od PLN 155,49*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 6A; Idm: 24A; 180W; TO3 (1 Oferta)

Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO3 Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 180W Polaryzacja: un...

NTE Electronics

NTE2384

od PLN 154,16*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; 330W; TO247-3 (2 ofert)

Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 54ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...

Wolfspeed

C2M0040120D

od PLN 153,78*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 73A; Idm: 275A; 500W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC025SMA120B

od PLN 153,40*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 80A; Idm: 280A; 455W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 455W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC017SMA120B

od PLN 150,90*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny (2 ofert)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Rodzaj kanału: wzbogacany

ST Microelectronics

SCTW70N120G2V

od PLN 150,212*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 10A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Ł...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1201R5BVRG

od PLN 149,29*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 39A; Idm: 250A; 517W (1 Oferta)

Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 517W Polar...

SMC DIODE SOLUTIONS

S2M0025120K

od PLN 149,21*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 100A; Idm: 400A; 568W; TO264 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M20LFLLG

od PLN 148,06*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 39A; Idm: 250A; 517W (1 Oferta)

Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 517W Polar...

SMC DIODE SOLUTIONS

S2M0025120D

od PLN 147,87*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 15A; Idm: 90A; 1,04kW (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT22F120B2

od PLN 145,70*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 85A; 694W; TO264 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 85A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Polaryzacja: unipolarny...

IXYS

IXKK85N60C

od PLN 145,27*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 12A; 400W; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1201R2BLLG

od PLN 144,58*
za szt.

Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 40A (1 Oferta)

Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 42mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 326W P...

Qorvo (UnitedSiC)

UF3C065040K3S

od PLN 143,95*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 30A; 1250W; 300ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1...

IXYS

IXFB30N120P

od PLN 143,59*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolarny; 1,1kV; 40A; 1560W (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 434ns Napięcie dren-źródło: 1,1kV Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1...

IXYS

IXFB40N110Q3

od PLN 143,43*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 55A; Idm: 137A; 262W (1 Oferta)

Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 52mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polaryza...

ROHM Semiconductor

SCT3040KLHRC11

od PLN 142,71*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 99A; Idm: 350A; 455W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 99A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 455W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC015SMA070B4

od PLN 141,53*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 20A; 625W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12060LVFRG

od PLN 141,23*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 18A; Idm: 72A; 565W; TO264 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 670mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12067LFLLG

od PLN 141,00*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 54A; Idm: 216A; 690W; TO264 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6010LFLLG

od PLN 140,62*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 38A; Idm: 152A; 694W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Po...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8020B2FLLG

od PLN 139,88*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 625W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M18LVFRG

od PLN 139,62*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 46A; 700W; PLUS247™; 600ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 0,6µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70...

IXYS

IXTX46N50L

od PLN 139,49*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 46A; 700W; TO264; 600ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 0,6µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 700W ...

IXYS

IXTK46N50L

od PLN 139,20*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 900V; 40A; 149W; TO247-4 (2 ofert)

Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Czas gotowości: 62ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 37mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpras...

Wolfspeed

C3M0030090K

od PLN 138,96*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 17A; 700W; PLUS247™ (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 1,83µs Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 7...

IXYS

IXTX17N120L

od PLN 138,68*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 17A; 700W; TO264; 1,83us (2 ofert)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 1,83µs Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 700W...

IXYS

IXTK17N120L

od PLN 138,37*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 370mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10035B2FLLG

od PLN 138,05*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 22A; 700W; PLUS247™; 1us (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 700W P...

IXYS

IXTX22N100L

od PLN 137,92*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 44A; 1560W; PLUS264™ (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,56kW Polaryzacja: unipo...

IXYS

IXFB44N100Q3

od PLN 136,71*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 370mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10035LFLLG

od PLN 136,61*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1,75us (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 1,75µs Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W...

IXYS

IXTH1N450HV

od PLN 136,05*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 3kV; 2A; 520W; TO247HV; 400ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 3kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Po...

IXYS

IXTH2N300P3HV

od PLN 135,93*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; Idm: 200A; 370W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC035SMA170B4

od PLN 135,80*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 96A; Idm: 418A; 416W (1 Oferta)

Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 96A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 416W Polaryzacj...

Wolfspeed

C3M0015065K

od PLN 135,36*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 0,2A; 78W; 1,6us (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024c Czas gotowości: 1,6µs Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 625Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc r...

IXYS

IXTF02N450

od PLN 135,34*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolarny; 650V; 87A; 625W (2 ofert)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: MAX247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 87A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polaryza...

ST Microelectronics

STY145N65M5

od PLN 135,29*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10035LLLG

od PLN 135,00*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO247MAX (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10045B2LLG

od PLN 134,40*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™ (2 ofert)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 570W Polaryzacja: unip...

IXYS

IXFR32N100Q3

od PLN 133,88*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 70A; Idm: 200A; 500W (1 Oferta)

Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Polaryzacja: u...

Littelfuse

LSIC1MO120G0025

od PLN 133,54*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 41 Dalej

Tranzystory z kanałem N THT (4 088 artykułów)