Tranzystory z kanałem N THT kup korzystnie w Mercateo

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 130V; 40A; 500W; M244; 17dB (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Obudowa: M244 Częstotliwość: 175MHz Napięcie dren-źródło: 130V Prąd drenu: 40A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 17dB Moc wyjściowa: 350W Moc rozpraszana: 500W Sp...

ST Microelectronics

SD2942W

od PLN 838,89*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 125V; 40A; 500W; M244; 16dB (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Obudowa: M244 Częstotliwość: 175MHz Napięcie dren-źródło: 125V Prąd drenu: 40A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 16dB Moc wyjściowa: 300W Moc rozpraszana: 500W Sp...

ST Microelectronics

SD2932W

od PLN 729,89*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 80V; 18A; 200W; M246; 18dB; 70% (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Obudowa: M246 Częstotliwość: 860MHz Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 18A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 18dB Moc wyjściowa: 150W Moc rozpraszana: 200W Spr...

ST Microelectronics

LET9120

od PLN 561,94*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 3,3kV; 26A; Idm: 100A; 381W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 3,3kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,105Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 381W P...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC080SMA330B4

od PLN 471,82*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 2A; 220W; ISOPLUS i5-pac™ (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i5-pac™ Czas gotowości: 1,75µs Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozprasza...

IXYS

IXTL2N450

od PLN 470,03*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Technologia: POWER MOS 5® Rodzaj kanału: wzbogacany

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6040BVRG

od PLN 450,47*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,7kV; 2A; 220W; ISOPLUS i5-pac™ (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i5-pac™ Czas gotowości: 1,75µs Napięcie dren-źródło: 4,7kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozprasza...

IXYS

IXTL2N470

od PLN 395,95*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 88A; Idm: 300A; 809W (1 Oferta)

Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 88A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 809W Pol...

Genesic Semiconductor

G3R20MT17K

od PLN 381,10*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; 520W; TO247-3 (2 ofert)

Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...

Wolfspeed

C2M0045170D

od PLN 377,88*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10026L2FLLG

od PLN 313,46*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 30A; Idm: 120A; 893W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Po...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12040L2FLLG

od PLN 304,97*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 1,4A; Idm: 4,2A; 190W (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024c Czas gotowości: 660ns Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc ro...

IXYS

IXTF1R4N450

od PLN 293,99*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10026L2LLG

od PLN 279,83*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2,8A; Idm: 25A; 125W; TO3 (1 Oferta)

Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: ...

NTE Electronics

NTE2386

od PLN 266,16*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2,5kV; 3A; 417W; TO264; 370ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 370ns Napięcie dren-źródło: 2,5kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Po...

IXYS

IXTK3N250L

od PLN 262,39*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 3kV; 4A; 960W; 420ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-HV Czas gotowości: 420ns Napięcie dren-źródło: 3kV Prąd drenu: 4A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opako...

IXYS

IXTX4N300P3HV

od PLN 256,57*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 196A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APL602LG

od PLN 245,86*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2,5kV; 3A; 417W; PLUS247™; 370ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 370ns Napięcie dren-źródło: 2,5kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W...

IXYS

IXTX3N250L

od PLN 245,69*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 85A; Idm: 250A; 556W (2 ofert)

Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 85A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 556W Polaryz...

Wolfspeed

C3M0016120K

od PLN 245,37*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 1,4A; Idm: 5A; 960W; 660ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-HV Czas gotowości: 660ns Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana...

IXYS

IXTX1R4N450HV

od PLN 241,37*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 196A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W P...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APL602B2G

od PLN 238,27*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 500V; 58A; Idm: 232A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APL502LG

od PLN 237,96*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 2kV; 6A; 960W; 520ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-HV Czas gotowości: 520ns Napięcie dren-źródło: 2kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960...

IXYS

IXTX6N200P3HV

od PLN 233,10*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 90A; 463W; TO247-3 (2 ofert)

Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 45ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...

Wolfspeed

C2M0025120D

od PLN 227,011*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 800W ...

IXYS

IXTB30N100L

od PLN 226,20*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 900V; 83A; Idm: 472A; 251W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 83A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 251W Polaryzacja: unipol...

onsemi

NVHL020N090SC1

od PLN 224,06*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 73A; Idm: 292A; 893W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT60M75L2LLG

od PLN 211,68*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 73A; Idm: 292A; 893W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT60M75L2FLLG

od PLN 211,42*
za szt.

Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 62A (1 Oferta)

Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 441W P...

Qorvo (UnitedSiC)

UF3C065030K4S

od PLN 211,32*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 500V; 58A; Idm: 232A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APL502B2G

od PLN 207,19*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 3kV; 1,6A; Idm: 6A; 160W (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024c Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 3kV Prąd drenu: 1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozp...

IXYS

IXTF2N300P3

od PLN 206,52*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; Idm: 200A; 370W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC035SMA170B

od PLN 202,23*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 52A; Idm: 208A; 893W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Po...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8014L2LLG

od PLN 201,26*
za szt.

Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 62A (1 Oferta)

Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 441W P...

Qorvo (UnitedSiC)

UF3C065030K3S

od PLN 196,42*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2,5kV; 1A; 110W; 2,5us (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024c Czas gotowości: 2,5µs Napięcie dren-źródło: 2,5kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozp...

IXYS

IXTF1N250

od PLN 192,26*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 108A; Idm: 340A; 625W (1 Oferta)

Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 108A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...

LUGUANG ELECTRONIC

LGE3M14120Q

od PLN 191,60*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 800...

IXYS

IXTB62N50L

od PLN 189,13*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 38A; 694W; T-Max (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8020B2LLG

od PLN 185,93*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 52A; Idm: 208A; 893W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Po...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8014L2FLLG

od PLN 185,35*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 24A; 520W (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i5-pac™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryzacja...

IXYS

IXFL32N120P

od PLN 184,77*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 50V; TO247-3; THT (1 Oferta)

Producent: NXP Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 50V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Montaż elektryczny: THT Rodzaj tranzystora: RF Rodzaj kanału: wzb...

NXP

MRF300AN

od PLN 180,59*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 65A; 833W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 833W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT60M80L2VRG

od PLN 180,16*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Rodzaj kanału: wzbogacany

ST Microelectronics

SCT015W120G3-4AG

od PLN 179,59*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 38A; Idm: 152A; 694W; TO264 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8020LFLLG

od PLN 178,98*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; Idm: 160A; 520W (1 Oferta)

Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polary...

LUGUANG ELECTRONIC

LGE3M45170B

od PLN 174,93*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO264 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12057LFLLG

od PLN 174,37*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 73A; Idm: 412A; 267W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 267W Polaryzacja: unipo...

onsemi

NTHL020N120SC1

od PLN 174,24*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 38A; 694W; TO264 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8020LLLG

od PLN 173,30*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; Idm: 160A; 520W (1 Oferta)

Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polary...

LUGUANG ELECTRONIC

LGE3M45170Q

od PLN 170,86*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 100A; 520W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M11LVRG

od PLN 166,08*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 82 Dalej

Tranzystory z kanałem N THT (4 085 artykułów)