Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (3 947 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 48A; 830W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 135mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 830W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFK48N60P
od PLN 14 621,481*
za 300 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 130V; 40A; 500W; M244; 17dB (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: M244 Częstotliwość: 175MHz Napięcie dren-źródło: 130V Prąd drenu: 40A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 17dB Moc wyjściowa: 350W Moc rozpraszana: 500W Sp...
ST Microelectronics
SD2942W
od PLN 825,48*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 125V; 40A; 500W; M244; 16dB (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: M244 Częstotliwość: 175MHz Napięcie dren-źródło: 125V Prąd drenu: 40A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 16dB Moc wyjściowa: 300W Moc rozpraszana: 500W Sp...
ST Microelectronics
SD2932W
od PLN 716,35*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 80V; 18A; 200W; M246; 18dB; 70% (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: M246 Częstotliwość: 860MHz Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 18A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 18dB Moc wyjściowa: 150W Moc rozpraszana: 200W Spr...
ST Microelectronics
LET9120
od PLN 553,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 3,3kV; 26A; Idm: 100A; 381W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 3,3kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,105Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 381W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA330B4
od PLN 472,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 2A; 220W; ISOPLUS i5-pac™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i5-pac™ Czas gotowości: 1,75µs Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozprasza...
IXYS
IXTL2N450
od PLN 461,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Technologia: POWER MOS 5® Rodzaj kanału: wzbogacany
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6040BVRG
od PLN 436,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,7kV; 2A; 220W; ISOPLUS i5-pac™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i5-pac™ Czas gotowości: 1,75µs Napięcie dren-źródło: 4,7kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozprasza...
IXYS
IXTL2N470
od PLN 391,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 88A; Idm: 300A; 809W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 88A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 809W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R20MT17K
od PLN 370,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; 520W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C2M0045170D
od PLN 366,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10026L2FLLG
od PLN 304,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 30A; Idm: 120A; 893W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12040L2FLLG
od PLN 296,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 1,4A; Idm: 4,2A; 190W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024c Czas gotowości: 660ns Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc ro...
IXYS
IXTF1R4N450
od PLN 289,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10026L2LLG
od PLN 271,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2,5kV; 3A; 417W; TO264; 370ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 370ns Napięcie dren-źródło: 2,5kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Po...
IXYS
IXTK3N250L
od PLN 258,71*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   264   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.