Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem P SMD

  Tranzystory z kanałem P SMD (1 384 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Rodzaj kanału: wzbogacany
Diodes
ZXMP6A17E6QTA
od PLN 1,43*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-JFET; unipolarny; 0,225W; SOT23 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Rezystancja w stanie przewodzenia: 125Ω Typ tranzystora: P-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie ...
onsemi
MMBFJ175LT1G
od PLN 0,315*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-JFET; unipolarny; 0,225W; SOT23; 50mA (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Typ tranzystora: P-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka-źródło: 30V
onsemi
MMBFJ270
od PLN 0,452*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-JFET; unipolarny; 0,225W; SOT23; 50mA (3 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Typ tranzystora: P-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka-źródło: 30V
onsemi
MMBFJ176
od PLN 0,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-JFET; unipolarny; 20mA; 0,225W; SOT23 (3 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd drenu: 20mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 300Ω Typ tranzystora: P-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśm...
onsemi
MMBFJ177LT1G
od PLN 0,363*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; -20V (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,205Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 6,8W Polaryzacja: unipolar...
Vishay
SIA811ADJ-T1-GE3
od PLN 3 424,41*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; -30V (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 6,5W Polaryzacja: unipolar...
Vishay
SIA817EDJ-T1-GE3
od PLN 3,35*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana:...
ROHM Semiconductor
QS5U23TR
od PLN 0,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana:...
ROHM Semiconductor
QS5U21TR
od PLN 0,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSMT6 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,43Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: ...
ROHM Semiconductor
QS6U22TR
od PLN 0,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana:...
ROHM Semiconductor
QS5U26TR
od PLN 0,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana:...
ROHM Semiconductor
QS5U27TR
od PLN 0,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -2A; Idm: -8A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 245mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 1...
ROHM Semiconductor
QS5U28TR
od PLN 0,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -30V; -1A; Idm: -2A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSMT6 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 1,2...
ROHM Semiconductor
QS6U24TR
od PLN 0,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -30V; -2A; Idm: -8A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,225Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: ...
ROHM Semiconductor
QS5U33TR
od PLN 0,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; 20V; -2,3A; Idm: -13A (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: ChipFET Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: -2,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 2,1W Polary...
onsemi
NTHD3101FT1G
od PLN 1,50*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolarny; -40V; -40A; 58W (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO252-3-313 Napięcie dren-źródło: -40V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,6mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana:...
Infineon
IPD50P04P4L11ATMA2
od PLN 5,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -52A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
IXYS
IXTA52P10P
od PLN 15,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -90A; 462W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 144ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 462W...
IXYS
IXTT90P10P
od PLN 33,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -150V; -36A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 228ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300...
IXYS
IXTA36P15P
od PLN 15,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -26A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 240ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300...
IXYS
IXTA26P20P
od PLN 16,85*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -48A; 462W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 462W...
IXYS
IXTT48P20P
od PLN 33,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -10A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 414ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W P...
IXYS
IXTA10P50P
od PLN 15,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -20A; 460W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 406ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 460...
IXYS
IXTT20P50P
od PLN 33,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -600V; -16A; 460W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 440ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 720mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 460...
IXYS
IXTT16P60P
od PLN 40,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; -100V; -9,5A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN3.3x3.3 EP Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -9,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 17...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJQ15GP10A
od PLN 0,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; STripFET™ H6; unipolarny; -30V; -3,2A; 2,7W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 56mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 2,7W Polaryzac...
ST Microelectronics
STS5P3LLH6
od PLN 2,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; -60V; -42A; 100W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: PowerFLAT Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 100W Pola...
ST Microelectronics
STL42P6LLF6
od PLN 3,289*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; STripFET™; unipolarny; -30V; -1,2A; Idm: -8A (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -1,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,35W Polary...
ST Microelectronics
STR2P3LLH6
od PLN 0,594*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -15V; -1,6A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -15V Prąd drenu: -1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,7W Polary...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2301G
od PLN 0,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -15V; -3A; 1W (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -15V Prąd drenu: -3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 87mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2301D
od PLN 2,12*
za 20 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -15V; -4,5A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -15V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 62mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryz...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2305A
od PLN 0,131*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -16V; -5,6A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN2020-6 Napięcie dren-źródło: -16V Prąd drenu: -5,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 2,2W Pol...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJQ4666B
od PLN 1,81*
za 10 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -20V; -1,6A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,195Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,7W Polar...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2301F
od PLN 1,62*
za 20 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -20V; -2,7A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 95mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2301C
od PLN 1,02*
za 10 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -20V; -4,4A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryz...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2305B
od PLN 2,32*
za 20 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -30V; -3,2A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 68mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,5W Polaryz...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL3407AL
od PLN 1,58*
za 10 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -30V; -3,2A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 68mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryz...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL3407A
od PLN 0,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -30V; -3,5A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryz...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL3401A
od PLN 2,61*
za 20 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -30V; -3,5A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,5W Polaryz...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL3401AL
od PLN 0,63*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -30V; -4,1A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -4,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryza...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS9435A
od PLN 1,12*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -30V; -4,4A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN2020-6 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 64mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,4W Pol...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJQ3407A
od PLN 1,125*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolarny; 20V; -10,4A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: -10,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3W Polaryzacj...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS2022A
od PLN 0,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; ThunderFET; unipolarny; -150V; -12,9A; 42,1W (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -12,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 42,1W Pol...
Vishay
SISS73DN-T1-GE3
od PLN 2,551*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -12V; -5,2A; Idm: -33A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: DFN2020MD-6;SOT1220 Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -5,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,7W Pol...
Nexperia
PMPB15XP,115
od PLN 0,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -12V; -6A; Idm: -20A; 1,1W (1 Oferta) 
Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,1W...
Micro Commercial Components
SI2333-TP
od PLN 1,105*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -20V; -1,3A; Idm: -8,4A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,34W Polaryz...
Nexperia
NXV65UPR
od PLN 1,26*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -20V; -3,3A; Idm: -21A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SC74;SOT457;TSOP6 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -3,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 62mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,66W Pola...
Nexperia
PMN30XPAX
od PLN 0,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -20V; -3,3A; Idm: -21A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SC74;SOT457;TSOP6 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -3,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,55W Pol...
Nexperia
PMN30XPX
od PLN 0,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -20V; -4,2A; 1,4W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -4,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,4...
Micro Commercial Components
SI2305B-TP
od PLN 0,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -20V; -4,5A; Idm: -30A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: DFN2020MD-6;SOT1220 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Polaryzacja: unipolarny R...
Nexperia
PMPB19XP,115
od PLN 0,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -20V; -700mA; Idm: -2,8A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: DFN1006-3;SOT883 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -0,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 645mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rod...
Nexperia
PMZ350UPEYL
od PLN 0,202*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -30V; -1A; Idm: -6A; 340mW (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,34W Polaryzacj...
Nexperia
NXV90EPR
od PLN 1,67*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -30V; -2,7A; Idm: -12A (1 Oferta) 
Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 138mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,...
Micro Commercial Components
SI2307-TP
od PLN 0,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -30V; -4,2A; Idm: -30A (1 Oferta) 
Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -4,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,3...
Micro Commercial Components
SI3401A-TP
od PLN 1,30*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -40V; -8,9A; Idm: -56A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: DFN2020MD-6;SOT1220 Napięcie dren-źródło: -40V Prąd drenu: -8,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 81mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Zastosowanie: branża moto...
Nexperia
BUK6D43-40PX
od PLN 0,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -60V; -1,6A; Idm: -8A (1 Oferta) 
Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,...
Micro Commercial Components
SI5618A-TP
od PLN 2,34*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -60V; -230mA; Idm: -0,92A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -230mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,4Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,35W Polar...
ROHM Semiconductor
BSS84AHZGT116
od PLN 0,92*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -60V; -230mA; Idm: -0,92A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -230mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,4Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,35W Polar...
ROHM Semiconductor
BSS84T116
od PLN 2,58*
za 20 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -60V; -5,1A; Idm: -32A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: DFN2020MD-6;SOT1220 Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -5,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 256mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Zastosowanie: branża mot...
Nexperia
BUK6D120-60PX
od PLN 0,61*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -100V; -120A; 375W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 375W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SUM70101EL-GE3
od PLN 9 628,944*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -100V; -48A; 89W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 89W Polaryzacja:...
Vishay
SIR871DP-T1-GE3
od PLN 15 701,82*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -100V; -8,8A; 32,1W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: DPAK;TO252 Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -8,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 32,1W Polaryzacja...
Vishay
SUD09P10-195-BE3
od PLN 4 205,70*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -12V; -12A; Idm: -40A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 19W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opako...
Vishay
SIA413ADJ-T1-GE3
od PLN 5 763,09*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -12V; -12A; Idm: -40A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 19W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opako...
Vishay
SIA413DJ-T1-GE3
od PLN 2,05*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -12V; -12A; Idm: -50A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 32mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 19W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opako...
Vishay
SIA477EDJT-T1-GE3
od PLN 2 594,28*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -12V; -12A; Idm: -50A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 32mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 19W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opako...
Vishay
SIA477EDJ-T1-GE3
od PLN 2 871,84*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -12V; -5,3A; 1,25W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -5,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 59mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SI2333DS-T1-E3
od PLN 1,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -12V; -7,1A; 2,5W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -7,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 59mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SI2333CDS-T1-E3
od PLN 1,19*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -12V; -8A; Idm: -20A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 4,2W Polaryzacja: unipolar...
Vishay
SI3473CDV-T1-GE3
od PLN 1,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -12V; -9A; Idm: -40A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,115Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 13W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opak...
Vishay
SIB441EDK-T1-GE3
od PLN 3,89*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -150V; -1,4A; 3,2W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,79Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3,2W Polaryzacja: unip...
Vishay
SI3437DV-T1-GE3
od PLN 1,182*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -150V; -1,6A; 15,6W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,7Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 15,6W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj o...
Vishay
SIA485DJ-T1-GE3
od PLN 3 184,50*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -150V; -2,8A; 19,8W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 19,8W Polary...
Vishay
SI7317DN-T1-GE3
od PLN 2,37*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -200V; -9,4A; 68W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -9,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 763mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 68W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj op...
Vishay
SQJ431AEP-T1_BE3
od PLN 11 410,89*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -1,75A; 330mW (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SC89 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 188mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,33W Polaryzacja: unip...
Vishay
SI1077X-T1-GE3
od PLN 0,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -102A; 42,1W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -102A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 42,1W Polaryza...
Vishay
SISS63DN-T1-GE3
od PLN 1,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -12A; Idm: -20A (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 17,9W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opa...
Vishay
SIA461DJ-T1-GE3
od PLN 0,519*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -12A; Idm: -30A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 19W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opako...
Vishay
SIA429DJT-T1-GE3
od PLN 1,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -12A; Idm: -32A (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 51,1mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 15,6W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj o...
Vishay
SIA4263DJ-T1-GE3
od PLN 0,822*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -12A; Idm: -50A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 19W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opako...
Vishay
SIA445EDJT-T1-GE3
od PLN 2 631,42*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -12A; Idm: -50A (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 19W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opako...
Vishay
SIA433EDJ-T1-GE3
od PLN 2 758,53*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -12A; Idm: -50A (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 19W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opako...
Vishay
SIA445EDJ-T1-GE3
od PLN 1,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -13,4A; 5W; SO8 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -13,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 5W Polaryzacja: unipolarn...
Vishay
SI4403CDY-T1-GE3
od PLN 1,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -18,6A; 5W; SO8 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -18,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 5W Polaryzacja: unipolarn...
Vishay
SI4463CDY-T1-GE3
od PLN 1,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -18A; 33W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,5mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Polaryza...
Vishay
SIS447DN-T1-GE3
od PLN 1,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -25A; Idm: -40A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19,5mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 21W Polaryza...
Vishay
SISH407DN-T1-GE3
od PLN 1,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -29,7A; 19W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -29,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 19W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opa...
Vishay
SIA437DJ-T1-GE3
od PLN 0,881*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -30A; Idm: -80A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryzacj...
Vishay
SIS435DNT-T1-GE3
od PLN 1,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -35A; Idm: -80A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11,7mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 52W Polaryza...
Vishay
SI7629DN-T1-GE3
od PLN 2,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -35A; Idm: -80A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,8mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Polaryzac...
Vishay
SISH615ADN-T1-GE3
od PLN 1,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -35A; Idm: -80A (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,5mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Polaryzac...
Vishay
SIS415DNT-T1-GE3
od PLN 0,817*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -450mA; 190mW (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SC89 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -450mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,19W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SI1013CX-T1-GE3
od PLN 0,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -5,9A; 1,7W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -5,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 67,5mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,7W Polaryzacja: unip...
Vishay
SI2365EDS-T1-BE3
od PLN 0,39*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -500mA; 1,25W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -0,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,4Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj op...
Vishay
SIUD403ED-T1-GE3
od PLN 0,98*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -50A; Idm: -80A (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,7mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 39W Polaryzacja:...
Vishay
SIR401DP-T1-GE3
od PLN 2,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -6A; Idm: -20A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 56mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 5,7W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opako...
Vishay
SI5457DC-T1-GE3
od PLN 1,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -6A; Idm: -20A (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 2,1W Polaryzacja: unipolar...
Vishay
SI3433CDV-T1-GE3
od PLN 0,806*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -6A; Idm: -40A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 14,8W Polaryzac...
Vishay
SIS903DN-T1-GE3
od PLN 3,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -7,5A; 13,6W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 58,6mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 13,6W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj ...
Vishay
SQA413CEJW-T1_GE3
od PLN 3,095*
za 5 szt.
 
 opakowania
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   14   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.