Tranzystory z kanałem P SMD kup korzystnie w Mercateo

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Rodzaj kanału: wzbogacany

Diodes

ZXMP6A17E6QTA

od PLN 1,43*
za szt.

Tranzystor: P-JFET; unipolarny; 0,225W; SOT23 (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Rezystancja w stanie przewodzenia: 125Ω Typ tranzystora: P-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie ...

onsemi

MMBFJ175LT1G

od PLN 0,315*
za szt.

Tranzystor: P-JFET; unipolarny; 0,225W; SOT23; 50mA (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Typ tranzystora: P-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka-źródło: 30V

onsemi

MMBFJ270

od PLN 0,452*
za szt.

Tranzystor: P-JFET; unipolarny; 0,225W; SOT23; 50mA (3 ofert)

onsemi

MMBFJ176

od PLN 0,75*
za szt.

Tranzystor: P-JFET; unipolarny; 20mA; 0,225W; SOT23 (3 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd drenu: 20mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 300Ω Typ tranzystora: P-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśm...

onsemi

MMBFJ177LT1G

od PLN 0,363*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; -20V (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,205Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 6,8W Polaryzacja: unipolar...

Vishay

SIA811ADJ-T1-GE3

od PLN 3 424,41*
za 3 000 szt.

Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; -30V (2 ofert)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 6,5W Polaryzacja: unipolar...

Vishay

SIA817EDJ-T1-GE3

od PLN 3,35*
za 5 szt.

Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 Oferta)

Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana:...

ROHM Semiconductor

QS5U23TR

od PLN 0,53*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 Oferta)

ROHM Semiconductor

QS5U21TR

od PLN 0,65*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 Oferta)

Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSMT6 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,43Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: ...

ROHM Semiconductor

QS6U22TR

od PLN 0,56*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 Oferta)

ROHM Semiconductor

QS5U26TR

od PLN 0,57*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 Oferta)

ROHM Semiconductor

QS5U27TR

od PLN 0,62*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -2A; Idm: -8A (1 Oferta)

Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 245mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 1...

ROHM Semiconductor

QS5U28TR

od PLN 0,64*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -30V; -1A; Idm: -2A (1 Oferta)

Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSMT6 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 1,2...

ROHM Semiconductor

QS6U24TR

od PLN 0,57*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -30V; -2A; Idm: -8A (1 Oferta)

Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,225Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: ...

ROHM Semiconductor

QS5U33TR

od PLN 0,73*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; 20V; -2,3A; Idm: -13A (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: ChipFET Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: -2,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 2,1W Polary...

onsemi

NTHD3101FT1G

od PLN 1,50*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolarny; -40V; -40A; 58W (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO252-3-313 Napięcie dren-źródło: -40V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,6mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana:...

Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2

od PLN 5,89*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -52A; 300W; TO263 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...

IXYS

IXTA52P10P

od PLN 15,59*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -90A; 462W; TO268 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 144ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 462W...

IXYS

IXTT90P10P

od PLN 33,52*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -150V; -36A; 300W; TO263 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 228ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300...

IXYS

IXTA36P15P

od PLN 15,69*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -26A; 300W; TO263 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 240ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300...

IXYS

IXTA26P20P

od PLN 16,85*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -48A; 462W; TO268 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 462W...

IXYS

IXTT48P20P

od PLN 33,77*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -10A; 300W; TO263 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 414ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W P...

IXYS

IXTA10P50P

od PLN 15,59*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -20A; 460W; TO268 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 406ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 460...

IXYS

IXTT20P50P

od PLN 33,77*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -600V; -16A; 460W; TO268 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 440ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 720mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 460...

IXYS

IXTT16P60P

od PLN 40,24*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; -100V; -9,5A (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN3.3x3.3 EP Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -9,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 17...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJQ15GP10A

od PLN 0,65*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; STripFET™ H6; unipolarny; -30V; -3,2A; 2,7W (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 56mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 2,7W Polaryzac...

ST Microelectronics

STS5P3LLH6

od PLN 2,11*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; -60V; -42A; 100W (2 ofert)

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: PowerFLAT Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 100W Pola...

ST Microelectronics

STL42P6LLF6

od PLN 3,289*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; STripFET™; unipolarny; -30V; -1,2A; Idm: -8A (2 ofert)

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -1,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,35W Polary...

ST Microelectronics

STR2P3LLH6

od PLN 0,594*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -15V; -1,6A (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -15V Prąd drenu: -1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,7W Polary...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJL2301G

od PLN 0,11*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -15V; -3A; 1W (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -15V Prąd drenu: -3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 87mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJL2301D

od PLN 2,12*
za 20 szt.

Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -15V; -4,5A (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -15V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 62mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryz...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJL2305A

od PLN 0,131*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -16V; -5,6A (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN2020-6 Napięcie dren-źródło: -16V Prąd drenu: -5,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 2,2W Pol...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJQ4666B

od PLN 1,81*
za 10 szt.

Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -20V; -1,6A (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,195Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,7W Polar...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJL2301F

od PLN 1,62*
za 20 szt.

Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -20V; -2,7A (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 95mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzac...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJL2301C

od PLN 1,02*
za 10 szt.

Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -20V; -4,4A (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryz...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJL2305B

od PLN 2,32*
za 20 szt.

Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -30V; -3,2A (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 68mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,5W Polaryz...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJL3407AL

od PLN 1,58*
za 10 szt.

Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -30V; -3,2A (1 Oferta)

YANGJIE TECHNOLOGY

YJL3407A

od PLN 0,23*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -30V; -3,5A (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryz...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJL3401A

od PLN 2,61*
za 20 szt.

Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -30V; -3,5A (1 Oferta)

YANGJIE TECHNOLOGY

YJL3401AL

od PLN 0,63*
za 5 szt.

Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -30V; -4,1A (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -4,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryza...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJS9435A

od PLN 1,12*
za 5 szt.

Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -30V; -4,4A (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN2020-6 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 64mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,4W Pol...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJQ3407A

od PLN 1,125*
za 5 szt.

Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolarny; 20V; -10,4A (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: -10,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3W Polaryzacj...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJS2022A

od PLN 0,36*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; ThunderFET; unipolarny; -150V; -12,9A; 42,1W (3 ofert)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -12,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 42,1W Pol...

Vishay

SISS73DN-T1-GE3

od PLN 2,551*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -12V; -5,2A; Idm: -33A (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: DFN2020MD-6;SOT1220 Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -5,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,7W Pol...

Nexperia

PMPB15XP,115

od PLN 0,62*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -12V; -6A; Idm: -20A; 1,1W (1 Oferta)

Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,1W...

Micro Commercial Components

SI2333-TP

od PLN 1,105*
za 5 szt.

Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -20V; -1,3A; Idm: -8,4A (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,34W Polaryz...

Nexperia

NXV65UPR

od PLN 1,26*
za 5 szt.

Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -20V; -3,3A; Idm: -21A (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SC74;SOT457;TSOP6 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -3,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 62mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,66W Pola...

Nexperia

PMN30XPAX

od PLN 0,66*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -20V; -3,3A; Idm: -21A (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SC74;SOT457;TSOP6 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -3,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,55W Pol...

Nexperia

PMN30XPX

od PLN 0,59*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -20V; -4,2A; 1,4W; SOT23 (1 Oferta)

Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -4,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,4...

Micro Commercial Components

SI2305B-TP

od PLN 0,40*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 28 Dalej

Tranzystory z kanałem P SMD (1 384 artykułów)