Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET ---

  Moduły tranzystorowe MOSFET (103 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 310A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 310A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN360N15T2
od PLN 170,16*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 400A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 132ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 400A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN400N15X3
od PLN 157,63*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 170V; 260A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 170V Prąd drenu: 260A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN320N17T2
od PLN 157,06*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 22A; SOT227B; przykręcany; 700W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Moc rozpraszan...
IXYS
IXTN22N100L
od PLN 198,879*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 23A; SOT227B; przykręcany; 595W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 390mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN26N100P
od PLN 186,26*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 24A; SOT227B; przykręcany; 568W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 390mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN24N100
od PLN 143,207*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 27A; SOT227B; przykręcany; 690W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN32N100P
od PLN 116,89*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 28A; SOT227B; przykręcany; 780W (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN32N100Q3
od PLN 233,66*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 30A; SOT227B; przykręcany; 800W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Moc rozprasza...
IXYS
IXTN30N100L
od PLN 278,83*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 36A; SOT227B; przykręcany; 694W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN36N100
od PLN 256,054*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 37A; SOT227B; przykręcany; 890W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN44N100P
od PLN 139,18*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 38A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN38N100P
od PLN 175,22*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 38A; SOT227B; przykręcany; 960W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN44N100Q3
od PLN 210,705*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 44A; SOT227B; przykręcany; 830W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN52N100X
od PLN 169,25*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 100A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 420ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN110N20L2
od PLN 175,13*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.