Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET ---

  Moduły tranzystorowe MOSFET (103 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 40V; 660A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 60ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 660A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN660N04T4
od PLN 88,73*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 112A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 112A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN132N50P3
od PLN 108,56*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 46A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 0,6µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Moc rozpra...
IXYS
IXTN46N50L
od PLN 204,165*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 50A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN64N50P
od PLN 94,95*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 53A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 980ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpras...
IXYS
IXTN60N50L2
od PLN 155,02*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 60A; TO240AA; Idm: 240A; 590W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: TO240AA Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpras...
IXYS
VMO60-05F
od PLN 227,84*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 62A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpras...
IXYS
IXTN62N50L
od PLN 260,409*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 63A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN80N50Q3
od PLN 161,02*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 68A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN94N50P2
od PLN 86,94*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 75A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN100N50P
od PLN 135,87*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 82A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 82A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN100N50Q3
od PLN 195,13*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 55V; 550A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 550A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN550N055T2
od PLN 133,63*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 40A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 650ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXKN40N60C
od PLN 125,03*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 40A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN48N60P
od PLN 86,06*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 50A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN64N60P
od PLN 121,88*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.