Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET ---

  Moduły tranzystorowe MOSFET (102 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 75A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN100N50P
od PLN 127,72*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 82A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 82A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN100N50Q3
od PLN 19,281*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 78A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 78A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN100N65X2
od PLN 107,39*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 86A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 86A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN102N30P
od PLN 84,959*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 90A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 56mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN110N60P3
od PLN 11,262*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 110A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 205ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN110N85X
od PLN 238,269*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 108A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 220ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 108A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN120N65X2
od PLN 168,89*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 900V; 109A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 109A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Polaryzacja: unipolarny Cena jed...
IXYS
IXFN130N90SK
od PLN 621,79*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 112A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 112A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN132N50P3
od PLN 11,143*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 115A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN140N20P
od PLN 79,05*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 110A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN140N30P
od PLN 96,60*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 145A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 190ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 145A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN150N65X2
od PLN 190,922*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 130A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN160N30T
od PLN 91,67*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 146A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 135ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 146A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,4mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN170N25X3
od PLN 115,15*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 170A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 270ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN170N65X2
od PLN 16,056*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.