Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET ---

  Moduły tranzystorowe MOSFET (102 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Moduł; tranzystor/tranzystor; 100V; 500A; Y3-Li; HiPerFET™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y3-Li Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 500A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8mΩ Polaryzacja: unipolarny Cena jedn...
IXYS
VMM650-01F
od PLN 1 598,42*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,7kV; 67A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Polaryzacja: unipolarny Cena jed...
IXYS
IXFN90N170SK
od PLN 1 469,33*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2uC (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 590A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1mΩ Moc rozpra...
IXYS
VMO550-01F
od PLN 1 466,59*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 300V; 220A; Y3-DCB; Idm: 1,16kA (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,4mΩ Moc rozpraszana: 1,5kW Polaryzac...
IXYS
VMM300-03F
od PLN 1 205,46*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 690A; Y3-DCB; Idm: 2,78kA (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 690A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8mΩ Moc rozpra...
IXYS
VMO650-01F
od PLN 844,69*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 900V; 109A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 109A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Polaryzacja: unipolarny Cena jed...
IXYS
IXFN130N90SK
od PLN 621,79*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 130A; V2-Pack; Press-in PCB; 1,38kW (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: V2-Pack Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Moc rozpraszana: 1,38kW Polaryzacja: ...
IXYS
VUM85-05A
od PLN 444,86*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 30A; SOT227B; przykręcany; 800W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Moc rozprasza...
IXYS
IXTN30N100L
od PLN 274,83*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 30A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 26ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Polaryzacja...
IXYS
IXFN50N120SIC
od PLN 271,54*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 48A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 54ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Polaryzacja...
IXYS
IXFN50N120SK
od PLN 270,26*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 32A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Moc rozpr...
IXYS
IXFN32N120P
od PLN 256,53*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 36A; SOT227B; przykręcany; 694W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN36N100
od PLN 256,484*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 110A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 205ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN110N85X
od PLN 238,269*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 50A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 580ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXKN75N60C
od PLN 228,11*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 60A; TO240AA; Idm: 240A; 590W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: TO240AA Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpras...
IXYS
VMO60-05F
od PLN 224,68*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.