Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (330 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 37A; ISOTOP; przykręcany; 694W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10021JLL
od PLN 417,36*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 37A; SOT227B; przykręcany; 890W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN44N100P
od PLN 139,18*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 38A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN38N100P
od PLN 175,22*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 38A; SOT227B; przykręcany; 960W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN44N100Q3
od PLN 210,705*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 42A; ISOTOP; przykręcany; 960W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Moc rozpraszana: 9...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT41F100J
od PLN 365,66*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 44A; SOT227B; przykręcany; 830W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN52N100X
od PLN 169,25*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 100A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 420ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN110N20L2
od PLN 175,13*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 104A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 104A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M20JFLL
od PLN 184,54*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 104A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 104A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M20JLL
od PLN 129,20*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 115A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN140N20P
od PLN 91,06*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 130A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewo...
DACO Semiconductor
DAMI160N200
od PLN 110,54*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 160A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 128ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 160A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,2mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN220N20X3
od PLN 107,36*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 175A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 175A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M11JVFR
od PLN 343,72*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 176A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 176A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M11JLL
od PLN 295,55*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 176A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 176A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M11JFLL
od PLN 332,14*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   22   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.