Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (337 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 47A; ISOTOP; przykręcany; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6010JFLL
od PLN 199,78*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 25A; ISOTOP; przykręcany; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10035JLL
od PLN 199,12*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 15A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12080JVFR
od PLN 198,36*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 31A; ISOTOP; przykręcany; 375W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6017JFLL
od PLN 198,15*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 49A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN62N80Q3
od PLN 194,27*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1,7µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Moc rozpr...
IXYS
IXTN8N150L
od PLN 193,05*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 66A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN82N60Q3
od PLN 192,01*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 74A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 74A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Moc rozpraszana...
Genesic Semiconductor
G3R20MT12N
od PLN 191,65*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 300A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 300A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,93mΩ Moc rozpraszana: 909W Polary...
Vishay
VS-FC420SA15
od PLN 191,63*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 44A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 800ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 74mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXKN45N80C
od PLN 191,09*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 145A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 190ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 145A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN150N65X2
od PLN 190,922*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 23A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN26N120P
od PLN 189,35*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 210A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 210A Rezystancja w stanie przewo...
DACO Semiconductor
DAMI280N200
od PLN 188,66*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 17A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 670mΩ Moc rozpraszana...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12067JFLL
od PLN 187,72*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 29A; ISOTOP; przykręcany; 460W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8024JFLL
od PLN 185,75*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   23   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.