Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (330 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 26A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA120J
od PLN 110,90*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 130A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewo...
DACO Semiconductor
DAMI160N200
od PLN 110,54*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; -500V; -40A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Moc rozp...
IXYS
IXTN40P50P
od PLN 109,63*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 78A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 78A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN100N65X2
od PLN 109,25*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 112A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 112A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN132N50P3
od PLN 108,69*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 29A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 106mΩ Moc rozpraszana: 261W Polaryza...
Vishay
VS-FA40SA50LC
od PLN 108,10*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 150A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,7mΩ Moc rozpraszana: ...
DACO Semiconductor
DAMI220N150
od PLN 107,75*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 160A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 128ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 160A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,2mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN220N20X3
od PLN 107,36*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 60V; 300A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 300A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5mΩ Polaryzacja: unipo...
DACO Semiconductor
DAMI330N60
od PLN 106,89*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 39A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN44N80P
od PLN 106,50*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 420A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 420A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN420N10T
od PLN 103,71*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 110A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN140N30P
od PLN 99,63*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 76A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 450ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXTN102N65X2
od PLN 98,54*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 330A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 330A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3mΩ Moc rozpraszana: 652W Polaryz...
Vishay
VS-FC420SA10
od PLN 95,95*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 50A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN64N50P
od PLN 95,34*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   21   22   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.