Moduły tranzystorowe MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 4/23)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 70A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 260A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3F Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpraszana: 462W Ce...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTC60DHM24T3G

od PLN 438,65*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 72A; SP4; konektory FASTON; 416W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Moc rozpraszana: 416W Cen...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTC60AM35SCTG

od PLN 520,09*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; Idm: 447A (2 ofert)

Producent: ONSEMI Obudowa: PIM20 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 149A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Moc rozpraszana: 352W Cena jednostkow...

onsemi

NXH020U90MNF2PTG

od PLN 610,073*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; -100V; -210A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -210A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc roz...

IXYS

IXTN210P10T

od PLN 157,75*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; -200V; -106A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -106A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozp...

IXYS

IXTN120P20T

od PLN 174,09*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; -500V; -40A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Moc rozp...

IXYS

IXTN40P50P

od PLN 107,19*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; -600V; -32A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 480ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Moc rozp...

IXYS

IXTN32P60P

od PLN 121,44*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,1kV; 34A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Obudowa: SOT227...

IXYS

IXFN40N110P

od PLN 143,01*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,1kV; 35A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

IXYS

IXFN40N110Q3

od PLN 131,51*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 110A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przew...

DACO Semiconductor

DACMI160N1200

od PLN 515,15*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 125A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

DACO Semiconductor

DACMI200N1200

od PLN 1 263,59*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 12A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,58Ω Moc rozpraszana...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT17F120J

od PLN 134,03*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 12A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT19M120J

od PLN 185,70*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 15A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Moc rozpraszana:...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12080JVFR

od PLN 198,36*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 15A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1,83µs Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Moc rozpr...

IXYS

IXTN17N120L

od PLN 210,59*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 23 Dalej

Moduły tranzystorowe MOSFET (337 artykułów)