Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (330 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 21,5A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 21,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Polaryzacja: unipolarny Montaż...
IXYS
IXFN27N120SK
od PLN 175,13*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 21A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Moc rozpraszana...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT32F120J
od PLN 231,68*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 22A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Moc rozpraszana...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT34M120J
od PLN 281,46*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 23A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN26N120P
od PLN 191,83*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 25A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 137mΩ Moc rozpraszana:...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120N
od PLN 73,89*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 25A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 25A Polaryzacja: unipolarny Mon...
DACO Semiconductor
DACMI40N1200
od PLN 186,41*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 26A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12040JVR
od PLN 461,48*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 26A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA120J
od PLN 111,06*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 30A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,33Ω Moc rozpraszana...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12031JFLL
od PLN 513,23*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 30A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 26ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Polaryzacja...
IXYS
IXFN50N120SIC
od PLN 275,74*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 30A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Moc rozpr...
IXYS
IXFN30N120P
od PLN 215,40*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 32A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Moc rozpr...
IXYS
IXFN32N120P
od PLN 255,99*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 37A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Moc rozpraszana...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC040SMA120J
od PLN 156,50*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 48A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 54ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Polaryzacja...
IXYS
IXFN50N120SK
od PLN 274,94*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 50A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewo...
DACO Semiconductor
DACMI80N1200
od PLN 312,71*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   22   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.