Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (302 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 160A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 128ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 160A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,2mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN220N20X3
od PLN 107,57*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 220A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN230N20T
od PLN 127,86*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 240A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 240A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN240N15T2
od PLN 126,59*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 24A; SOT227B; przykręcany; 568W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 390mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN24N100
od PLN 143,137*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 23A; SOT227B; przykręcany; 595W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 390mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN26N100P
od PLN 187,93*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 23A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN26N120P
od PLN 193,78*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 21,5A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 21,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Polaryzacja: unipolarny Montaż...
IXYS
IXFN27N120SK
od PLN 175,94*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 300A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 172ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 300A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN300N20X3
od PLN 184,26*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 30A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Moc rozpr...
IXYS
IXFN30N120P
od PLN 216,71*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 170V; 260A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 170V Prąd drenu: 260A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN320N17T2
od PLN 158,51*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 27A; SOT227B; przykręcany; 690W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN32N100P
od PLN 116,94*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 28A; SOT227B; przykręcany; 780W (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN32N100Q3
od PLN 235,40*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 70V; 340A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 70V Prąd drenu: 340A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Moc rozprasz...
IXYS
IXFN340N07
od PLN 175,83*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 310A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 310A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN360N15T2
od PLN 171,27*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 36A; SOT227B; przykręcany; 694W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN36N100
od PLN 256,954*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   21   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.