Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (330 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 35A; V1-A-Pack; konektory FASTON (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: V1-A-Pack Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Moc rozpraszana: 36W Polaryzacja: u...
IXYS
VUM25-05E
od PLN 137,48*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 39A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 204A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpraszana: 290W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M75JLLU3
od PLN 137,73*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 39A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 204A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpraszana: 290W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M75JLLU2
od PLN 138,18*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 37A; SOT227B; przykręcany; 890W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN44N100P
od PLN 139,18*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 20A; ISOTOP; przykręcany; 543W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT32M80J
od PLN 139,25*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 70A; ISOTOP; przykręcany; 600W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Moc rozpraszana: 600...
ST Microelectronics
STE70NM60
od PLN 139,55*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 65A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN66N85X
od PLN 139,64*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 31A; ISOTOP; przykręcany; 540W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT47M60J
od PLN 139,78*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 320A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 320A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5mΩ Moc rozpraszana: ...
DACO Semiconductor
DAMI450N100
od PLN 139,91*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 37A; ISOTOP; przykręcany; 540W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT58F50J
od PLN 139,91*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 12A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,58Ω Moc rozpraszana...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT17F120J
od PLN 142,15*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 445A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 445A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,1mΩ Moc rozpraszana: ...
DACO Semiconductor
DAMI560N100
od PLN 142,86*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 210A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 190ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 210A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,6mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN210N30X3
od PLN 143,14*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 24A; SOT227B; przykręcany; 568W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 390mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN24N100
od PLN 143,207*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,1kV; 34A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Obudowa: SOT227...
IXYS
IXFN40N110P
od PLN 145,87*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   22   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.