Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (337 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☑
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Porównanie cen ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 48A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 54ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Polaryzacja...
IXYS
IXFN50N120SK
od PLN 270,26*
za szt.
od PLN 270,26*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 50A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewo...
DACO Semiconductor
DACMI80N1200
od PLN 293,85*
za szt.
od PLN 293,85*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 54A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Moc rozpraszana...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC025SMA120J
od PLN 206,61*
za szt.
od PLN 206,61*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 74A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 74A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Moc rozpraszana...
Genesic Semiconductor
G3R20MT12N
od PLN 191,65*
za szt.
od PLN 191,65*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 76A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 76A Rezystancja w stanie przewo...
DACO Semiconductor
DACMI120N1200
od PLN 397,67*
za szt.
od PLN 397,67*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1,7µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Moc rozpr...
IXYS
IXTN8N150L
od PLN 193,05*
za szt.
od PLN 193,05*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,7kV; 67A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Polaryzacja: unipolarny Cena jed...
IXYS
IXFN90N170SK
od PLN 1 469,33*
za szt.
od PLN 1 469,33*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,7kV; 70A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Moc rozpraszana...
Genesic Semiconductor
G3R20MT17N
od PLN 456,94*
za szt.
od PLN 456,94*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 120A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Moc rozpraszana: 38...
DACO Semiconductor
DAMI160N100
od PLN 86,65*
za szt.
od PLN 86,65*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 144A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 144A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M11JVFR
od PLN 233,35*
za szt.
od PLN 233,35*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 178A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 245ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 178A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN200N10L2
od PLN 152,29*
za szt.
od PLN 152,29*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 200A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 76ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN200N10T
od PLN 109,70*
za szt.
od PLN 109,70*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 200A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN200N10P
od PLN 82,05*
za szt.
od PLN 82,05*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 225A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 225A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M07JVFR
od PLN 267,90*
za szt.
od PLN 267,90*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 280A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 280A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1mΩ Moc rozpraszana: ...
DACO Semiconductor
DAMI320N100
od PLN 141,16*
za szt.
od PLN 141,16*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   23   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.