Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (330 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 295A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 295A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN300N10P
PLN 214,91*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 300A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 172ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 300A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN300N20X3
PLN 272,23*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 30A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Moc rozpr...
IXYS
IXFN30N120P
PLN 312,16*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 170V; 260A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 170V Prąd drenu: 260A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN320N17T2
PLN 229,77*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 27A; SOT227B; przykręcany; 690W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN32N100P
PLN 175,80*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 28A; SOT227B; przykręcany; 780W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN32N100Q3
PLN 262,907*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 32A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Moc rozpr...
IXYS
IXFN32N120P
PLN 361,18*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 29A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN32N80P
PLN 139,59*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 70V; 340A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 70V Prąd drenu: 340A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Moc rozprasz...
IXYS
IXFN340N07
PLN 254,76*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 360A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN360N10T
PLN 121,18*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 310A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 310A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN360N15T2
PLN 196,44*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 36A; SOT227B; przykręcany; 694W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN36N100
PLN 324,759*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 38A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN38N100P
PLN 255,40*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 400A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 132ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 400A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN400N15X3
PLN 231,66*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,1kV; 34A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Obudowa: SOT227...
IXYS
IXFN40N110P
PLN 122,64*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   22   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.