Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (330 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 310A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 310A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN360N15T2
PLN 197,00*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 108A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 220ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 108A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN120N65X2
PLN 197,79*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 12A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,58Ω Moc rozpraszana:...
Microchip Technology
APT17F120J
PLN 198,91*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 445A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 445A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,1mΩ Moc rozpraszana: ...
DACO Semiconductor
DAMI560N100
PLN 199,70*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 24A; SOT227B; przykręcany; 568W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 390mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN24N100
PLN 199,93*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 178A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 245ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 178A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN200N10L2
PLN 200,97*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 53A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 980ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpras...
IXYS
IXTN60N50L2
PLN 202,55*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 82A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 82A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN100N50Q3
PLN 202,584*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 280A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 280A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1mΩ Moc rozpraszana: ...
DACO Semiconductor
DAMI320N100
PLN 203,61*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 51A; ISOTOP; przykręcany; 460W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 51A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpraszana: 4...
Microchip Technology
APT50M75JLL
PLN 205,43*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 33A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 176A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana: 450W M...
Microchip Technology
APT5010JVRU3
PLN 205,56*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 35A; V1-A-Pack; konektory FASTON (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: V1-A-Pack Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Moc rozpraszana: 36W Polaryzacja: u...
IXYS
VUM25-05E
PLN 207,50*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 65A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN66N85X
PLN 207,50*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 90A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN90N85X
PLN 207,92*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 31A; ISOTOP; przykręcany; 540W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Moc rozpraszana: 5...
Microchip Technology
APT47F60J
PLN 207,94*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   22   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.