Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (337 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 66A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 77mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN80N60P3
od PLN 8,786*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 76A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 450ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXTN102N65X2
od PLN 9,661*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 112A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 112A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN132N50P3
od PLN 11,143*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 90A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 56mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN110N60P3
od PLN 11,262*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 72A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN82N60P
od PLN 12,017*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 63A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN80N50Q3
od PLN 15,785*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 170A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 270ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN170N65X2
od PLN 16,056*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 90A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN90N85X
od PLN 17,524*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 82A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 82A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN100N50Q3
od PLN 19,281*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 37A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN44N80Q3
od PLN 20,342*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 53A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN60N80P
od PLN 20,95*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 22A; SOT227B; przykręcany; 700W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Moc rozpraszan...
IXYS
IXTN22N100L
od PLN 21,089*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 28A; SOT227B; przykręcany; 780W (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN32N100Q3
od PLN 23,014*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 38A; SOT227B; przykręcany; 960W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN44N100Q3
od PLN 23,668*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 62A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpras...
IXYS
IXTN62N50L
od PLN 24,341*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 168A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 168A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,9mΩ Moc rozp...
IXYS
IXFN180N25T
od PLN 70,52*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 25A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 137mΩ Moc rozpraszana:...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120N
od PLN 73,62*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 360A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN360N10T
od PLN 78,93*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 115A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN140N20P
od PLN 79,05*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 150A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN180N15P
od PLN 79,23*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 200A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN200N10P
od PLN 82,05*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 40A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN48N60P
od PLN 84,71*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 86A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 86A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN102N30P
od PLN 84,959*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 50A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN64N50P
od PLN 85,64*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 68A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN94N50P2
od PLN 85,73*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 120A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Moc rozpraszana: 38...
DACO Semiconductor
DAMI160N100
od PLN 86,65*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 45A; Press-in PCB; Idm: 90A (1 Oferta) 
Producent: WeEn Semiconductors Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Moc rozpraszana: 105W Cena jednost...
WeEn Semiconductors
WMSC040H12B1P6T
od PLN 88,79*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 40V; 660A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 60ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 660A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN660N04T4
od PLN 88,81*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 30A; ISOTOP; przykręcany; 450W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Moc rozpraszana: 450...
ST Microelectronics
STE48NM50
od PLN 89,31*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 29A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN32N80P
od PLN 89,58*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 130A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN160N30T
od PLN 91,67*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 330A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 330A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3mΩ Moc rozpraszana: 652W Polaryz...
Vishay
VS-FC420SA10
od PLN 94,15*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 110A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN140N30P
od PLN 96,60*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 420A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 420A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN420N10T
od PLN 98,41*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 53A; Press-in PCB; Idm: 100A (1 Oferta) 
Producent: WeEn Semiconductors Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozpraszana: 111W Cena jednost...
WeEn Semiconductors
WMSC030H12B1P6T
od PLN 98,80*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 75V; 480A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 480A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,9mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN520N075T2
od PLN 100,76*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 150A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,7mΩ Moc rozpraszana: ...
DACO Semiconductor
DAMI220N150
od PLN 101,42*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 24A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA120J
od PLN 104,11*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 130A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewo...
DACO Semiconductor
DAMI160N200
od PLN 104,16*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 39A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN44N80P
od PLN 104,63*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 19A; ISOTOP; przykręcany; 355W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M60J
od PLN 104,95*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 60V; 300A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 300A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5mΩ Polaryzacja: unipo...
DACO Semiconductor
DAMI330N60
od PLN 106,47*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 29A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 106mΩ Moc rozpraszana: 261W Polaryza...
Vishay
VS-FA40SA50LC
od PLN 106,51*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 30A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 120A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpraszana: 290W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40N60JCU2
od PLN 106,58*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 30A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 120A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpraszana: 290W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40N60JCU3
od PLN 106,68*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; -500V; -40A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Moc rozp...
IXYS
IXTN40P50P
od PLN 107,19*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 160A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 128ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 160A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,2mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN220N20X3
od PLN 107,34*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 24A; ISOTOP; przykręcany; 355W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT38F50J
od PLN 107,34*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 78A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 78A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN100N65X2
od PLN 107,39*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 200A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 76ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN200N10T
od PLN 109,70*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 33A; ISOTOP; przykręcany; 460W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpraszana: 460...
ST Microelectronics
STE53NC50
od PLN 110,34*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 180A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 180A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ Moc rozpraszana: ...
DACO Semiconductor
DAMI300N150
od PLN 111,62*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 24A; ISOTOP; przykręcany; 357W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT38M50J
od PLN 112,60*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 19A; ISOTOP; przykręcany; 355W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30F60J
od PLN 112,79*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 80A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 485ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXTN80N30L2
od PLN 114,06*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 180A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 180A Rezystancja w stanie przewo...
DACO Semiconductor
DAMI220N200
od PLN 114,31*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 27A; SOT227B; przykręcany; 690W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN32N100P
od PLN 114,61*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 146A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 135ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 146A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,4mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN170N25X3
od PLN 115,15*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 40V; 600A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 600A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN600N04T2
od PLN 115,61*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 32A; ISOTOP; przykręcany; 480W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT51M50J
od PLN 115,69*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 26A; ISOTOP; przykręcany; 480W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT39M60J
od PLN 118,17*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 32A; ISOTOP; przykręcany; 480W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT51F50J
od PLN 119,96*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 50A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN64N60P
od PLN 120,22*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 30A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 164A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana: 378W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010JLLU2
od PLN 120,42*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 30A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 164A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana: 378W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010JLLU3
od PLN 120,52*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 104A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 104A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M20JLL
od PLN 121,02*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 43A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 270A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpraszana: 543W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT58M50JU3
od PLN 121,18*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; -600V; -32A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 480ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Moc rozp...
IXYS
IXTN32P60P
od PLN 121,44*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 43A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 270A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpraszana: 543W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT58M50JU2
od PLN 121,73*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 26A; ISOTOP; przykręcany; 480W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT39F60J
od PLN 122,76*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 40A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 650ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXKN40N60C
od PLN 122,88*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 240A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 240A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN240N15T2
od PLN 123,54*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 13A; ISOTOP; przykręcany; 462W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT21M100J
od PLN 124,21*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 13A; ISOTOP; przykręcany; 460W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 440mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT19F100J
od PLN 124,55*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 220A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN230N20T
od PLN 124,60*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 900V; 33A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN40N90P
od PLN 126,02*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 60V; 400A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 400A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,1mΩ Polaryzacja: unipo...
DACO Semiconductor
DAMI500N60
od PLN 126,63*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 100V; 106A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 576A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 106A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpraszana: 450W...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M11JVRU2
od PLN 126,72*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 100V; 106A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 576A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 106A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpraszana: 450W...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M11JVRU3
od PLN 126,72*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 200V; 72A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 388A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Moc rozpraszana: 450W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M22JVRU2
od PLN 127,43*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 200V; 72A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 388A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Moc rozpraszana: 450W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M22JVRU3
od PLN 127,48*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 75A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN100N50P
od PLN 127,72*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 97A; ISOTOP; przykręcany; 450W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 97A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M22JVR
od PLN 127,82*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 37A; ISOTOP; przykręcany; 540W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT58M50J
od PLN 128,02*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 55,7A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 55,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpraszana: 4...
ST Microelectronics
STE88N65M5
od PLN 129,06*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 39A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 204A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpraszana: 290W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M75JLLU2
od PLN 129,56*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 39A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 204A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpraszana: 290W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M75JLLU3
od PLN 129,63*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 31A; ISOTOP; przykręcany; 540W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT47M60J
od PLN 131,44*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,1kV; 35A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Obudowa: SOT227...
IXYS
IXFN40N110Q3
od PLN 131,51*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 20A; ISOTOP; przykręcany; 543W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT32M80J
od PLN 131,62*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 55V; 550A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 550A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN550N055T2
od PLN 131,72*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 37A; ISOTOP; przykręcany; 540W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT58F50J
od PLN 131,95*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 320A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 320A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5mΩ Moc rozpraszana: ...
DACO Semiconductor
DAMI450N100
od PLN 131,97*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 12A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,58Ω Moc rozpraszana...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT17F120J
od PLN 134,03*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 445A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 445A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,1mΩ Moc rozpraszana: ...
DACO Semiconductor
DAMI560N100
od PLN 134,56*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 35A; V1-A-Pack; konektory FASTON (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: V1-A-Pack Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Moc rozpraszana: 36W Polaryzacja: u...
IXYS
VUM25-05E
od PLN 135,31*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 220A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,2mΩ Moc rozpraszana: ...
DACO Semiconductor
DAMI360N150
od PLN 137,19*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 65A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN66N85X
od PLN 137,28*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 70A; ISOTOP; przykręcany; 600W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Moc rozpraszana: 600...
ST Microelectronics
STE70NM60
od PLN 137,32*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 70A; Press-in PCB; Idm: 140A (1 Oferta) 
Producent: WeEn Semiconductors Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Moc rozpraszana: 118W Cena jednost...
WeEn Semiconductors
WMSC020H12B1P6T
od PLN 137,59*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.