Moduły tranzystorowe MOSFET kup korzystnie w Mercateo

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 138A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 138A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Moc rozpraszana...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC130SM120JCU3

od PLN 559,06*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 138A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC130SM120JCU2

od PLN 558,10*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 44A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Moc rozpraszana:...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC40SM120JCU3

od PLN 250,30*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 44A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC40SM120JCU2

od PLN 250,35*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 71A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 71A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Moc rozpraszana:...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC70SM120JCU2

od PLN 366,90*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 71A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC70SM120JCU3

od PLN 366,13*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 71A; SP1F; Press-in PCB; 395W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP1F Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 71A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Moc rozpraszana: 39...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSCSM120AM31CT1AG

od PLN 630,13*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 250W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3F Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Prąd kolektora: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTCV60HM45RCT3G

od PLN 469,13*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 700V; 98A; SOT227B; przykręcany; 365W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 98A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Moc rozpraszana: ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC100SM70JCU2

od PLN 323,68*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 700V; 98A; SOT227B; przykręcany; 365W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC100SM70JCU3

od PLN 323,60*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 1,2kV; 108A; ISOTOP; przykręcany; 600W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 108A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Moc rozpraszana: 600...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT100MC120JCU2

od PLN 1 221,22*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 1,2kV; 54A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 140A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Moc rozpraszana: 300W...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT50MC120JCU2

od PLN 494,47*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 100V; 106A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 576A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 106A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpraszana: 450W...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M11JVRU2

od PLN 134,89*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 100V; 106A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 576A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M11JVRU3

od PLN 135,20*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; Ugs: ±30V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 207A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Moc rozpraszana: 780W Mon...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM10SKM05TG

od PLN 466,10*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; Ugs: ±30V (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM10DAM05TG

od PLN 465,61*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 1kV; 20A; ISOTOP; Topologia: buck chopper (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 396mΩ Moc rozpraszana: 543W ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT26M100JCU3

od PLN 164,23*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 1kV; 20A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 140A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT26M100JCU2

od PLN 164,62*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 1kV; 33A; SP4; Idm: 172A; 780W; Ugs: ±30V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Moc rozpraszana: 780W Mon...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM100DA18TG

od PLN 452,25*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW; Ugs: ±30V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP6C Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 156mΩ Moc rozpraszana: 1,25kW ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM100A13SG

od PLN 1 230,95*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 155A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Moc rozpraszana: 781W Mo...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM20DAM08TG

od PLN 458,29*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM20SKM08TG

od PLN 460,27*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 200V; 15A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 104A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 672mΩ Moc rozpraszana: 543W...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M120JCU3

od PLN 170,97*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 200V; 15A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 104A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M120JCU2

od PLN 170,60*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 200V; 72A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 388A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Moc rozpraszana: 450W ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M22JVRU2

od PLN 135,48*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 200V; 72A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 388A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M22JVRU3

od PLN 135,41*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 130A; V2-Pack; Press-in PCB; 1,38kW (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: V2-Pack Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Moc rozpraszana: 1,38kW Polaryzacja: ...

IXYS

VUM85-05A

od PLN 449,47*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 30A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 164A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana: 378W ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5010JLLU2

od PLN 127,56*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 30A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 164A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5010JLLU3

od PLN 127,70*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 33A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 176A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana: 450W ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5010JVRU3

od PLN 147,01*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 33A; V1-B-Pack; konektory FASTON (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: V1-B-Pack Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Moc rozpraszana: 310W Polaryzacja: ...

IXYS

VUM33-05N

od PLN 258,61*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 35A; V1-A-Pack; konektory FASTON (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: V1-A-Pack Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Moc rozpraszana: 36W Polaryzacja: u...

IXYS

VUM25-05E

od PLN 137,48*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 39A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 204A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpraszana: 290W ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT50M75JLLU2

od PLN 137,74*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 39A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 204A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT50M75JLLU3

od PLN 137,98*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 43A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 270A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpraszana: 543W ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT58M50JU3

od PLN 129,49*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 43A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 270A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT58M50JU2

od PLN 129,06*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 43A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 270A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT58M50JCU2

od PLN 153,47*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 29A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 160A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3F Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpraszana: 250W Mo...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTC60HM70BT3G

od PLN 429,94*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 30A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 120A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpraszana: 290W ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT40N60JCU2

od PLN 113,52*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 38A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 130A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Moc rozpraszana: 290W ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT50N60JCCU2

od PLN 172,79*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3F Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Moc rozpraszana: 250W Mo...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTCV60HM45BT3G

od PLN 443,53*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 50A; V1-B-Pack; konektory FASTON (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: V1-B-Pack Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Moc rozpraszana: 500W Polaryzacja: ...

IXYS

VUM33-06PH

od PLN 221,85*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 70A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 260A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3F Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpraszana: 462W Mo...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTC60DHM24T3G

od PLN 466,17*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 72A; SP4; konektory FASTON; 416W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Moc rozpraszana: 416W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTC60AM35SCTG

od PLN 550,46*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; Idm: 447A (2 ofert)

Producent: ONSEMI Obudowa: PIM20 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 149A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Moc rozpraszana: 352W Montaż elektryc...

onsemi

NXH020U90MNF2PTG

od PLN 802,17*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; -100V; -210A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -210A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc roz...

IXYS

IXTN210P10T

od PLN 158,18*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; -200V; -106A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -106A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozp...

IXYS

IXTN120P20T

od PLN 176,27*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; -500V; -40A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Moc rozp...

IXYS

IXTN40P50P

od PLN 109,22*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; -600V; -32A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 480ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Moc rozp...

IXYS

IXTN32P60P

od PLN 122,88*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,1kV; 34A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Obudowa: SOT227...

IXYS

IXFN40N110P

od PLN 145,67*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,1kV; 35A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

IXYS

IXFN40N110Q3

od PLN 134,32*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 110A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przew...

DACO Semiconductor

DACMI160N1200

od PLN 547,65*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 125A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

DACO Semiconductor

DACMI200N1200

od PLN 1 342,05*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 12A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,58Ω Moc rozpraszana...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT17F120J

od PLN 142,28*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 12A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT19M120J

od PLN 197,85*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 15A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Moc rozpraszana:...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12080JVFR

od PLN 210,78*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 15A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1,83µs Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Moc rozpr...

IXYS

IXTN17N120L

od PLN 214,05*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 17A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 670mΩ Moc rozpraszana...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12067JFLL

od PLN 199,63*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 19A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Moc rozpraszana...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12057JFLL

od PLN 292,04*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 20A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN20N120P

od PLN 152,82*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 21,5A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 21,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Polaryzacja: unipolarny Montaż...

IXYS

IXFN27N120SK

od PLN 175,13*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 21A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Moc rozpraszana...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT32F120J

od PLN 231,68*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 22A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Moc rozpraszana...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT34M120J

od PLN 281,46*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 23A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Moc rozpra...

IXYS

IXFN26N120P

od PLN 191,83*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 25A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 137mΩ Moc rozpraszana:...

SMC DIODE SOLUTIONS

S2M0080120N

od PLN 73,89*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 25A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 25A Polaryzacja: unipolarny Mon...

DACO Semiconductor

DACMI40N1200

od PLN 186,41*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 26A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Moc rozpraszana:...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12040JVR

od PLN 461,48*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 26A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC080SMA120J

od PLN 111,06*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 30A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,33Ω Moc rozpraszana...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12031JFLL

od PLN 513,23*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 30A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 26ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Polaryzacja...

IXYS

IXFN50N120SIC

od PLN 275,74*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 30A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Moc rozpr...

IXYS

IXFN30N120P

od PLN 215,40*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 32A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Moc rozpr...

IXYS

IXFN32N120P

od PLN 255,99*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 37A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Moc rozpraszana...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC040SMA120J

od PLN 156,50*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 48A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 54ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Polaryzacja...

IXYS

IXFN50N120SK

od PLN 274,94*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 50A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewo...

DACO Semiconductor

DACMI80N1200

od PLN 312,71*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 54A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Moc rozpraszana...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC025SMA120J

od PLN 220,88*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 74A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 74A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Moc rozpraszana...

Genesic Semiconductor

G3R20MT12N

od PLN 191,56*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 76A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 76A Rezystancja w stanie przewo...

DACO Semiconductor

DACMI120N1200

od PLN 422,35*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1,7µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Moc rozpr...

IXYS

IXTN8N150L

od PLN 196,74*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,7kV; 67A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Polaryzacja: unipolarny Montaż e...

IXYS

IXFN90N170SK

od PLN 1 491,31*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,7kV; 70A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Moc rozpraszana...

Genesic Semiconductor

G3R20MT17N

od PLN 484,55*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 120A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Moc rozpraszana: 38...

DACO Semiconductor

DAMI160N100

od PLN 85,43*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 144A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 144A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpraszana:...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M11JVFR

od PLN 247,02*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 178A; SOT227B; przykręcany (2 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 245ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 178A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpra...

IXYS

IXTN200N10L2

od PLN 175,11*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 200A; SOT227B; przykręcany (2 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN200N10P

od PLN 87,542*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 200A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 76ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Moc rozpra...

IXYS

IXTN200N10T

od PLN 111,68*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 225A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 225A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mΩ Moc rozpraszana: ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M07JVFR

od PLN 284,19*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 280A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 280A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1mΩ Moc rozpraszana: ...

DACO Semiconductor

DAMI320N100

od PLN 145,53*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 295A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 295A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN300N10P

od PLN 146,02*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 320A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 320A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5mΩ Moc rozpraszana: ...

DACO Semiconductor

DAMI450N100

od PLN 140,12*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 330A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: VISHAY Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 330A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3mΩ Moc rozpraszana: 652W Polaryz...

Vishay

VS-FC420SA10

od PLN 95,90*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 360A; SOT227B; przykręcany (2 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN360N10T

od PLN 81,75*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 420A; SOT227B; przykręcany (2 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 420A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN420N10T

od PLN 103,93*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 445A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 445A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,1mΩ Moc rozpraszana: ...

DACO Semiconductor

DAMI560N100

od PLN 143,00*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 520A; SOT227H; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227H Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 520A Polaryzacja: unipolarny Montaż elektryczny: przykręcany Mo...

DACO Semiconductor

DAMIA700N100

od PLN 285,17*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2uC (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 590A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1mΩ Moc rozpra...

IXYS

VMO550-01F

od PLN 1 484,76*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 620A; SOT227H; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227H Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 620A Polaryzacja: unipolarny Montaż elektryczny: przykręcany Mo...

DACO Semiconductor

DAMIA830N100

od PLN 297,25*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 690A; Y3-DCB; Idm: 2,78kA (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 690A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8mΩ Moc rozpra...

IXYS

VMO650-01F

od PLN 860,57*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 720A; SOT227H; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227H Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 720A Polaryzacja: unipolarny Montaż elektryczny: przykręcany Mo...

DACO Semiconductor

DAMIA960N100

od PLN 312,41*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 820A; SOT227H; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227H Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 820A Polaryzacja: unipolarny Montaż elektryczny: przykręcany Mo...

DACO Semiconductor

DAMIA1100N100

od PLN 325,78*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: 1 2 3 4 Dalej

Moduły tranzystorowe MOSFET (330 artykułów)