Moduły tranzystorowe MOSFET kup korzystnie w Mercateo

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 138A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 138A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Moc rozpraszana...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC130SM120JCU3

od PLN 540,50*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 138A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC130SM120JCU2

od PLN 542,78*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 44A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Moc rozpraszana:...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC40SM120JCU3

od PLN 243,83*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 44A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC40SM120JCU2

od PLN 243,85*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 71A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 71A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Moc rozpraszana:...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC70SM120JCU2

od PLN 355,51*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 71A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC70SM120JCU3

od PLN 355,08*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 71A; SP1F; Press-in PCB; 395W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP1F Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 71A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Moc rozpraszana: 39...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSCSM120AM31CT1AG

od PLN 614,06*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 250W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3F Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Prąd kolektora: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTCV60HM45RCT3G

od PLN 456,09*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 700V; 98A; SOT227B; przykręcany; 365W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 98A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Moc rozpraszana: ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC100SM70JCU2

od PLN 314,80*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 700V; 98A; SOT227B; przykręcany; 365W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC100SM70JCU3

od PLN 316,02*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 1,2kV; 108A; ISOTOP; przykręcany; 600W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 108A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Moc rozpraszana: 600...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT100MC120JCU2

od PLN 1 187,67*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 1,2kV; 54A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 140A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Moc rozpraszana: 300W...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT50MC120JCU2

od PLN 481,07*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 100V; 106A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 576A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 106A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpraszana: 450W...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M11JVRU2

od PLN 130,78*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 100V; 106A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 576A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M11JVRU3

od PLN 131,15*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; Ugs: ±30V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 207A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Moc rozpraszana: 780W Mon...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM10SKM05TG

od PLN 452,18*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; Ugs: ±30V (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM10DAM05TG

od PLN 451,72*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 1kV; 20A; ISOTOP; Topologia: buck chopper (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 396mΩ Moc rozpraszana: 543W ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT26M100JCU3

od PLN 159,38*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 1kV; 20A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 140A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT26M100JCU2

od PLN 159,34*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 1kV; 33A; SP4; Idm: 172A; 780W; Ugs: ±30V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Moc rozpraszana: 780W Mon...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM100DA18TG

od PLN 438,59*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW; Ugs: ±30V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP6C Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 156mΩ Moc rozpraszana: 1,25kW ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM100A13SG

od PLN 1 193,37*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 155A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Moc rozpraszana: 781W Mo...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM20DAM08TG

od PLN 447,26*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM20SKM08TG

od PLN 446,19*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 200V; 15A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 104A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 672mΩ Moc rozpraszana: 543W...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M120JCU3

od PLN 165,72*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 200V; 15A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 104A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M120JCU2

od PLN 165,42*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 200V; 72A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 388A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Moc rozpraszana: 450W ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M22JVRU2

od PLN 131,83*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 200V; 72A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 388A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M22JVRU3

od PLN 131,73*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 130A; V2-Pack; Press-in PCB; 1,38kW (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: V2-Pack Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Moc rozpraszana: 1,38kW Polaryzacja: ...

IXYS

VUM85-05A

od PLN 443,42*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 30A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 164A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana: 378W ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5010JLLU2

od PLN 124,43*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 30A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 164A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5010JLLU3

od PLN 124,55*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 33A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 176A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana: 450W ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5010JVRU3

od PLN 143,12*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 35A; V1-A-Pack; konektory FASTON (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: V1-A-Pack Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Moc rozpraszana: 36W Polaryzacja: u...

IXYS

VUM25-05E

od PLN 135,24*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 39A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 204A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpraszana: 290W ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT50M75JLLU3

od PLN 134,00*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 39A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 204A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT50M75JLLU2

od PLN 133,48*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 43A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 270A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpraszana: 543W ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT58M50JU3

od PLN 125,61*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 43A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 270A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT58M50JU2

od PLN 125,72*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 43A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 270A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT58M50JCU2

od PLN 148,92*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 29A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 160A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3F Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpraszana: 250W Mo...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTC60HM70BT3G

od PLN 416,09*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 30A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 120A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpraszana: 290W ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT40N60JCU2

od PLN 110,06*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 38A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 130A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Moc rozpraszana: 290W ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT50N60JCCU2

od PLN 168,27*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3F Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Moc rozpraszana: 250W Mo...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTCV60HM45BT3G

od PLN 431,71*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 50A; V1-B-Pack; konektory FASTON (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: V1-B-Pack Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Moc rozpraszana: 500W Polaryzacja: ...

IXYS

VUM33-06PH

od PLN 217,90*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 70A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 260A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3F Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpraszana: 462W Mo...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTC60DHM24T3G

od PLN 454,16*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 72A; SP4; konektory FASTON; 416W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Moc rozpraszana: 416W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTC60AM35SCTG

od PLN 536,13*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; Idm: 447A (2 ofert)

Producent: ONSEMI Obudowa: PIM20 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 149A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Moc rozpraszana: 352W Montaż elektryc...

onsemi

NXH020U90MNF2PTG

od PLN 804,75*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; -100V; -210A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -210A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc roz...

IXYS

IXTN210P10T

od PLN 157,66*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; -200V; -106A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -106A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozp...

IXYS

IXTN120P20T

od PLN 174,08*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; -500V; -40A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Moc rozp...

IXYS

IXTN40P50P

od PLN 108,88*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; -600V; -32A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 480ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Moc rozp...

IXYS

IXTN32P60P

od PLN 121,15*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,1kV; 34A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Obudowa: SOT227...

IXYS

IXFN40N110P

od PLN 142,97*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,1kV; 35A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

IXYS

IXFN40N110Q3

od PLN 132,04*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: 1 2 3 4 5 6 7 Dalej

Moduły tranzystorowe MOSFET (304 artykułów)