Moduły tranzystorowe MOSFET kup korzystnie w Mercateo

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 285A; Half-Bridge Module (2 ofert)

Producent: Wolfspeed(CREE) Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: Half-Bridge Module Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 285A Rezystancja w stan...

Wolfspeed

CAS300M12BM2

od PLN 3 452,847*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 138A; Half-Bridge Module (2 ofert)

Wolfspeed

CAS120M12BM2

od PLN 1 907,631*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 100V; 500A; Y3-Li; HiPerFET™ (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: Y3-Li Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 500A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8mΩ Polaryzacja: unipolarny Montaż el...

IXYS

VMM650-01F

od PLN 1 598,79*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,7kV; 67A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Polaryzacja: unipolarny Montaż e...

IXYS

IXFN90N170SK

od PLN 1 464,87*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2uC (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 590A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1mΩ Moc rozpra...

IXYS

VMO550-01F

od PLN 1 460,19*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 125A; HB9434; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: HB9434 Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 125A Rezystancja w stanie przewo...

DACO Semiconductor

DACMH200N1200

od PLN 1 408,71*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 125A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 125A Rezystancja w stanie przew...

DACO Semiconductor

DACMI200N1200

od PLN 1 306,76*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 300V; 220A; Y3-DCB; Idm: 1,16kA (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,4mΩ Moc rozpraszana: 1,5kW Polaryzac...

IXYS

VMM300-03F

od PLN 1 206,04*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW; Ugs: ±30V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP6C Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 156mΩ Moc rozpraszana: 1,25kW ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM100A13SG

od PLN 1 193,37*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 1,2kV; 108A; ISOTOP; przykręcany; 600W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 108A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Moc rozpraszana: 600...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT100MC120JCU2

od PLN 1 187,67*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 110A; HB9434; przykręcany (1 Oferta)

DACO Semiconductor

DACMH160N1200

od PLN 1 117,05*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 200V; 155A; SP6C; Idm: 832A; 781W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP6C Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 155A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Moc rozpraszana: 7...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM20HM08FG

od PLN 1 098,76*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 76A; HB9434; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: HB9434 Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 76A Rezystancja w stanie przewod...

DACO Semiconductor

DACMH120N1200

od PLN 890,65*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 690A; Y3-DCB; Idm: 2,78kA (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 690A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8mΩ Moc rozpra...

IXYS

VMO650-01F

od PLN 844,74*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; Idm: 447A (2 ofert)

Producent: ONSEMI Obudowa: PIM20 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 149A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Moc rozpraszana: 352W Montaż elektryc...

onsemi

NXH020U90MNF2PTG

od PLN 804,75*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 21 Dalej

Moduły tranzystorowe MOSFET (304 artykułów)