Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (330 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☑
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Oferty ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,7kV; 225A; Half-Bridge Module (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: Half-Bridge Module Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 225A Rezystancja w stan...
2
Wolfspeed
CAS300M17BM2
od PLN 4 532,222*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 285A; Half-Bridge Module (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: Half-Bridge Module Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 285A Rezystancja w stan...
2
Wolfspeed
CAS300M12BM2
od PLN 3 444,467*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 138A; Half-Bridge Module (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: Half-Bridge Module Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 138A Rezystancja w stan...
2
Wolfspeed
CAS120M12BM2
od PLN 1 914,771*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 100V; 500A; Y3-Li; HiPerFET™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y3-Li Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 500A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8mΩ Polaryzacja: unipolarny Montaż el...
1
IXYS
VMM650-01F
od PLN 1 625,37*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,7kV; 67A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Polaryzacja: unipolarny Montaż e...
1
IXYS
IXFN90N170SK
od PLN 1 488,53*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2uC (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 590A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1mΩ Moc rozpra...
1
IXYS
VMO550-01F
od PLN 1 484,37*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 125A; HB9434; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: HB9434 Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 125A Rezystancja w stanie przewo...
1
DACO Semiconductor
DACMH200N1200
od PLN 1 452,29*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 125A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 125A Rezystancja w stanie przew...
1
DACO Semiconductor
DACMI200N1200
od PLN 1 344,83*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW; Ugs: ±30V (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP6C Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 156mΩ Moc rozpraszana: 1,25kW ...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM100A13SG
od PLN 1 227,75*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 300V; 220A; Y3-DCB; Idm: 1,16kA (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,4mΩ Moc rozpraszana: 1,5kW Polaryzac...
1
IXYS
VMM300-03F
od PLN 1 225,79*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 1,2kV; 108A; ISOTOP; przykręcany; 600W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 108A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Moc rozpraszana: 600...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100MC120JCU2
od PLN 1 217,72*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 110A; HB9434; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: HB9434 Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewo...
1
DACO Semiconductor
DACMH160N1200
od PLN 1 148,06*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 200V; 155A; SP6C; Idm: 832A; 781W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP6C Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 155A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Moc rozpraszana: 7...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM20HM08FG
od PLN 1 134,29*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 76A; HB9434; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: HB9434 Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 76A Rezystancja w stanie przewod...
1
DACO Semiconductor
DACMH120N1200
od PLN 915,67*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 690A; Y3-DCB; Idm: 2,78kA (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 690A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8mΩ Moc rozpra...
1
IXYS
VMO650-01F
od PLN 855,88*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   22   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.