Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (330 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 168A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 168A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,9mΩ Moc rozp...
IXYS
IXFN180N25T
od PLN 71,39*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 25A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 137mΩ Moc rozpraszana:...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120N
od PLN 73,71*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 360A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN360N10T
od PLN 81,85*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 86A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 86A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN102N30P
od PLN 85,209*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 120A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Moc rozpraszana: 38...
DACO Semiconductor
DAMI160N100
od PLN 85,58*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 40A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN48N60P
od PLN 86,06*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 68A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN94N50P2
od PLN 86,84*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 200A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN200N10P
od PLN 87,622*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 40V; 660A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 60ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 660A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN660N04T4
od PLN 88,69*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 66A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 77mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN80N60P3
od PLN 89,53*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 30A; ISOTOP; przykręcany; 450W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Moc rozpraszana: 450...
ST Microelectronics
STE48NM50
od PLN 90,68*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 29A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN32N80P
od PLN 90,78*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 150A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN180N15P
od PLN 91,04*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 115A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN140N20P
od PLN 91,06*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 130A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN160N30T
od PLN 93,07*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   22   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.