Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (337 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☑
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Znak jakości x
Cena ^v
Zamów
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 66A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 77mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN80N60P3
brak danych
od PLN 8,786*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 76A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 450ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXTN102N65X2
brak danych
od PLN 9,661*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 112A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 112A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN132N50P3
brak danych
od PLN 11,143*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 90A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 56mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN110N60P3
brak danych
od PLN 11,262*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 72A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN82N60P
brak danych
od PLN 12,017*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 63A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN80N50Q3
brak danych
od PLN 15,785*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 170A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 270ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN170N65X2
brak danych
od PLN 16,056*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 90A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN90N85X
brak danych
od PLN 17,524*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 82A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 82A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN100N50Q3
brak danych
od PLN 19,281*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 37A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN44N80Q3
brak danych
od PLN 20,342*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 53A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN60N80P
brak danych
od PLN 20,95*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 22A; SOT227B; przykręcany; 700W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Moc rozpraszan...
IXYS
IXTN22N100L
brak danych
od PLN 21,089*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 28A; SOT227B; przykręcany; 780W (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN32N100Q3
brak danych
od PLN 23,014*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 38A; SOT227B; przykręcany; 960W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN44N100Q3
brak danych
od PLN 23,668*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 62A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpras...
IXYS
IXTN62N50L
brak danych
od PLN 24,341*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   23   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.