Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > RF Mosfet

  HF-MOSFET  (32 ofert spośród 4 742 631 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „HF-MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"RF Mosfet"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 125V; 40A; 500W; M244; 16dB (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: M244 Częstotliwość: 175MHz Napięcie dren-źródło: 125V Prąd drenu: 40A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 16dB Moc wyjściowa: 300W Moc rozpraszana: 500W Sp...
ST Microelectronics
SD2932W
od PLN 729,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 130V; 40A; 500W; M244; 17dB (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: M244 Częstotliwość: 175MHz Napięcie dren-źródło: 130V Prąd drenu: 40A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 17dB Moc wyjściowa: 350W Moc rozpraszana: 500W Sp...
ST Microelectronics
SD2942W
od PLN 837,49*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 20V; 18mA; 400mW; TO72; THT (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Obudowa: TO72 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 18mA Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,4W Polaryzacja: unipolarny Montaż elektryczny: THT Właściwości eleme...
NTE Electronics
NTE221
od PLN 37,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pwyj: 630mW (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Obudowa: SOT89 Częstotliwość: 520MHz Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 1A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 14,9dB Moc wyjściowa: 630mW Moc rozpraszana: 3W Sprawność: 45...
Toshiba
2SK3475(TE12L,F)
od PLN 6,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 25V; 50mA; 360mW; TO72; THT (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Obudowa: TO72 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 50mA Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,36W Polaryzacja: unipolarny Montaż elektryczny: THT Właściwości elem...
NTE Electronics
NTE222
od PLN 45,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 20V; 25mA; 200mW (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 25mA Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,2W Polaryzacja: unipolarny Właściwości elementów półprzewodnikowych: ESD protected...
NTE Electronics
NTE455
od PLN 6,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 8V; 40mA; 200mW; SOT143; SMT (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE...
Infineon
BF2040E6814HTSA1
od PLN 2,48*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 20V; 60mA; 360mW; TO72; THT (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Obudowa: TO72 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 60mA Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,36W Polaryzacja: unipolarny Montaż elektryczny: THT Właściwości elem...
NTE Electronics
NTE454
od PLN 50,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 317W; TO270-2; Pwyj: 31W; SMT (1 Oferta) 
Producent: NXP Obudowa: TO270-2 Częstotliwość: 870MHz Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 17,2dB Moc wyjściowa: 31W Moc rozpraszana: 317W Sprawność: 71% Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania...
NXP
AFT09MS031NR1
od PLN 45,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; RF; 500V; 10A; 910W; T3A-8 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: T3A-8 Częstotliwość: 128MHz Struktura półprzewodnika: wspólne źródło Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Wzmocnienie: 1...
MICROCHIP (MICROSEMI)
ARF475FL
od PLN 779,93*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 294W; TO270G-2; Pwyj: 33W; SMT (1 Oferta) 
Producent: NXP Obudowa: TO270G-2 Częstotliwość: 520MHz Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 17,7dB Moc wyjściowa: 33W Moc rozpraszana: 294W Sprawność: 71,4% Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowa...
NXP
AFT05MS031GNR1
od PLN 48,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: PowerSO10RF Częstotliwość: 500MHz Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 5A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 14dB Moc wyjściowa: 15W Moc rozpraszana: 73W...
ST Microelectronics
PD55015S-E
od PLN 76,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 125W; PLD-1.5W; Pwyj: 6W; SMT (1 Oferta) 
Producent: NXP Obudowa: PLD-1.5W Częstotliwość: 520MHz Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 18,3dB Moc wyjściowa: 6W Moc rozpraszana: 125W Sprawność: 73% Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania...
NXP
AFT05MS006NT1
od PLN 12,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 317W; TO270G-2; Pwyj: 31W; SMT (1 Oferta) 
Producent: NXP Obudowa: TO270G-2 Częstotliwość: 870MHz Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 17,2dB Moc wyjściowa: 31W Moc rozpraszana: 317W Sprawność: 71% Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowani...
NXP
AFT09MS031GNR1
od PLN 64,05*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 50V; TO247-3; THT (1 Oferta) 
Producent: NXP Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 50V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Montaż elektryczny: THT Rodzaj tranzystora: RF Rodzaj kanału: wzb...
NXP
MRF300AN
od PLN 180,35*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   Wszystkie    strona: 1   2   3   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.