Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 561 ofert spośród 4 637 447 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 2,7A; 1,3W; PowerDI®3333-8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: PowerDI®3333-8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,133Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1...
Diodes
DMN10H170SFG-13
od PLN 0,87*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 80 A PG-TO263-3-2 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO263-3-2 Typ montażu = SMD
Infineon
IPB80P04P405ATMA2
od PLN 9,187*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 4,2A; Idm: 20A; 1,5W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: PowerDI3333-8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 4,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,122Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,...
Diodes
DMN10H120SFG-7
od PLN 1,14*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 80 A PG-TO263-3-2 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO263-3-2 Typ montażu = SMD
Infineon
IPB80P04P4L06ATMA2
od PLN 4 630,23*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 31A; Idm: 204A; 65W; Power33 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: Power33 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 65W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FDMC86160ET100
od PLN 6,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 2,7A; Idm: 10A; 1,31W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: U-DFN2020-6 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,31W ...
Diodes
DMN10H170SFDE-7
od PLN 0,75*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF7606TRPBF
od PLN 1,083*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 80 A PG-TO263-3-2 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO263-3-2 Typ montażu = SMD
Infineon
IPB80P04P4L04ATMA2
od PLN 8,943*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 85 A PG-TO252-3-313 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 85 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO252-3-313 Typ montażu = SMD
Infineon
IPD85P04P407ATMA2
od PLN 3,308*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 2,7A; Idm: 17A; 25W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: DPAK;TO252 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,54Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryzacja: un...
Vishay
SIHFR110TRL-GE3
od PLN 1,39*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 5,3 A DPAK (TO-252) 50 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 50 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
IRFR9010TRPBF
od PLN 3 517,82*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 4,7A; Idm: 30A; 7,5W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 4,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 7,5W Polary...
Diodes
DMN10H220LK3-13
od PLN 0,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 33A; Idm: 187A; 166W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;SOT404 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 166W Polaryzacja:...
Nexperia
PHB47NQ10T,118
od PLN 4,88*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 80 A PG-TO263-3-2 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO263-3-2 Typ montażu = SMD
Infineon
IPB80P04P4L08ATMA2
od PLN 7,285*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryza...
Texas Instruments
CSD19535KTT
od PLN 10,50*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1271   1272   1273   1274   1275   1276   1277   1278   1279   1280   1281   ..   1505   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.