Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 691 ofert spośród 4 741 765 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzacja: ...
NTE Electronics
NTE2395
od PLN 16,64*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 50 A PowerDI5060-8 40 V SMD 0.014 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerDI5060-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja...
Diodes
DMPH4015SPSQ-13
od PLN 14,13*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 2,6A; Idm: 6A; 1W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 144mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: unipolarn...
Vishay
SI2308CDS-T1-GE3
od PLN 0,48*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 3,5 A SOT-23 30 V SMD 0.138 O. (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-...
Vishay
SI2307CDS-T1-GE3
od PLN 0,64*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 3,7 A SOT-223 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
ISP650P06NMXTSA1
od PLN 4,036*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 38A; 18W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 18W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF2606L
od PLN 2,40*
za szt.
 
 szt.
Infineon AUIRF6215 tranzystor 150 V (1 Oferta)
Infineon
AUIRF6215
od PLN 9,839*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 200A; 300W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryz...
Texas Instruments
CSD18535KCS
od PLN 7,74*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 500 mA SOT-523 (SC-89) 20 V SMD 0.7 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 500 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-523 (SC-89) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezysta...
Diodes
DMP2900UT-7
od PLN 0,595*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 3,5 A SOT-23 60 V SMD 1,29e+008 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-...
Toshiba
SSM3J351R,LF(T
od PLN 2 314,05*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET P-kanałowy 3,7 A SOT-23 20 V SMD 0.074 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-...
Diodes
DMP2070U-7
od PLN 0,996*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzac...
Texas Instruments
CSD18542KTTT
od PLN 6,97*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 137 A PowerPAK 8 x 8L 12 V SMD 0.0066 Ω (1 Oferta) 
Firma Vishay Siliconix utrzymuje dane dotyczące niezawodności technologii półprzewodników i niezawodności pakietów, co stanowi złożony materiał wszystkich wykwalifikowanych lokalizacji.Kwalifikacja...
Vishay
SQJ123ELP-T1_GE3
od PLN 3,703*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryzacja: ...
NTE Electronics
NTE2914
od PLN 12,89*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 510 mA PQFN 3 x 3 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 510 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukł...
Infineon
BSZ15DC02KDHXTMA1
od PLN 3,298*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   911   912   913   914   915   916   917   918   919   920   921   ..   1513   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.